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公开(公告)号：CN102879149A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210421792.0
申请日：2012-10-30
Applicant: 中国人民解放军总参谋部工程兵科研三所
IPC: G01L11/02
Abstract: 本发明公开了一种光纤FP式冲击波压力传感器，包括膜片、壳体以及光纤，膜片与壳体前端固定后形成传感器的感压面，壳体空腔内设置陶瓷插芯、尾柄、压紧螺帽以及导向定位杆，光纤胶结固化于陶瓷插芯及尾柄中，陶瓷插芯后端固定在尾柄的前端，陶瓷插芯前端位于膜片的下部，两者之间形成一空腔，光纤伸出陶瓷插芯，前端位于空腔内，使光纤和膜片的下表面形成法布里—泊罗腔；尾柄后端位于导向定位杆内，并由压紧螺帽和导向定位杆前端固定，导向定位杆和壳体固定，光纤由导向定位杆后端引出。本发明的传感器结构坚固，耐强冲击振动、不受电磁及光干扰、抗热辐射能力强，适合于爆炸等恶劣环境下使用，同时传感器制作方便快捷、可靠性好。
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公开(公告)号：CN102637503A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210158463.1
申请日：2012-05-22
Applicant: 中国人民解放军总参谋部工程兵科研三所
Abstract: 一种室内大型磁场发生器的架设方法，包括磁场线圈支撑装置的架设和磁场线圈的绕制：a:磁场线圈支撑装置的架设：在室内设置磁场线圈支撑装置，所述的磁场线圈支撑装置包括磁场线圈支撑机构、试验平台，试验平台位于支撑机构的下部，所述的支撑机构由一组竖直磁场线圈支撑架和磁场线圈轴线平行且与磁场线圈相切的刻度条连接固定而成；b:磁场磁场线圈的绕制：磁场线圈支撑装置架设完毕后根据磁场磁场线圈直径及匝距，计算出单匝磁场线圈的准确长度并截取铜管；按顺时针方向计算刻度条上的相邻定位刻度槽对应的弧长，将铜管按固定点的位置顺时针固定在刻度槽上，固定后能基本形成圆形磁场线圈。
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公开(公告)号：CN102879149B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201210421792.0
申请日：2012-10-30
Applicant: 中国人民解放军总参谋部工程兵科研三所
IPC: G01L11/02
Abstract: 本发明公开了一种光纤FP式冲击波压力传感器，包括膜片、壳体以及光纤，膜片与壳体前端固定后形成传感器的感压面，光纤胶结固化于陶瓷插芯及尾柄中，陶瓷插芯后端固定在尾柄的前端，陶瓷插芯前端位于膜片的下部，两者之间形成一空腔，光纤伸出陶瓷插芯，所述的膜片与光纤相对的一面具有一凹腔；尾柄由压紧螺帽和导向定位杆前端固定，导向定位杆和壳体固定，光纤由导向定位杆后端引出；膜片与壳体之间通过激光焊接固定；壳体上设置有焊孔，导向定位杆在焊孔处和壳体通过焊接固定。本发明的传感器结构坚固，耐强冲击振动、不受电磁及光干扰、抗热辐射能力强，适合于爆炸等恶劣环境下使用，同时传感器制作方便快捷、可靠性好。
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公开(公告)号：CN101881055A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010225232.9
申请日：2010-07-08
Applicant: 中国人民解放军总参谋部工程兵科研三所
IPC: E04B1/98
Abstract: 本发明公开了一种磁流变阻尼器的磁流变液抗沉降方法，在磁流变阻尼器(1)的缸筒上设置有进、出液口，在进、出液口之间设置一自循环装置，当磁流变阻尼器(1)长期处于静置时，定期启动自循环装置，使磁流变液通过自循环装置进行循环流动，确保磁流变液长期均匀稳定。本发明实现了磁流变液在缸体中定期循环，可有效排除磁流变液中的空气，确保了液体长期均匀稳定，提高了磁流变阻尼器的力学性能，使磁流变阻尼器更加稳定、可靠。本发明适用于长期处于静置状态的磁流变阻尼器，使磁流变阻尼器的应用前景更加广阔。
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公开(公告)号：CN102637503B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210158463.1
申请日：2012-05-22
Applicant: 中国人民解放军总参谋部工程兵科研三所
Abstract: 一种室内大型磁场发生器的架设方法，包括磁场线圈支撑装置的架设和磁场线圈的绕制：a:磁场线圈支撑装置的架设：在室内设置磁场线圈支撑装置，所述的磁场线圈支撑装置包括磁场线圈支撑机构、试验平台，试验平台位于支撑机构的下部，所述的支撑机构由一组竖直磁场线圈支撑架和磁场线圈轴线平行且与磁场线圈相切的刻度条连接固定而成；b:磁场磁场线圈的绕制：磁场线圈支撑装置架设完毕后根据磁场磁场线圈直径及匝距，计算出单匝磁场线圈的准确长度并截取铜管；按顺时针方向计算刻度条上的相邻定位刻度槽对应的弧长，将铜管按固定点的位置顺时针固定在刻度槽上，固定后能基本形成圆形磁场线圈。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102928134A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210421830.2
申请日：2012-10-30
Applicant: 中国人民解放军总参谋部工程兵科研三所
Abstract: 本发明公开了一种碳阻式高压力传感器，其由壳体（1）、膜片（2）、碳阻式敏感元件（3）、填料（4）引线管（5）和引线（6）构成，碳阻式敏感元件（3）通过填料（4）和膜片（2）密封埋置于壳体（1）的腔体中，引线管（5）设置在壳体（1）内，引线（6）一端和碳阻式敏感元件（3）连接，另一端从引线管（5）引出。压力通过膜片和填料传递到碳阻式敏感元件，通过检测碳阻元件阻值变化实现对压力的大小的测量。上述的高压传感器具有结构简单，性能可靠，成本低廉等优点，填料的主要成分为棕刚玉，强度高，对压力的传递损失小，适合于动、静态高压力的测量，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102928134B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210421830.2
申请日：2012-10-30
Applicant: 中国人民解放军总参谋部工程兵科研三所
Abstract: 本发明公开了一种碳阻式高压力传感器，由壳体、膜片、碳阻式敏感元件、填料引线管和引线构成，碳阻式敏感元件通过填料和膜片密封埋置于壳体的腔体中，引线管设置在壳体内，引线一端和碳阻式敏感元件连接，另一端从引线管引出；所述壳体整体形状为圆柱形，碳阻式敏感元件设置在壳体的前端，壳体前端外部设置有连接螺纹，中部具有突出平台，其上设置有一环形沟槽，引线管设置在壳体的后部，引线从壳体的后部引出。上述的高压传感器具有结构简单，性能可靠，成本低廉等优点，填料的主要成分为棕刚玉，强度高，对压力的传递损失小，适合于动、静态高压力的测量，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101881055B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201010225232.9
申请日：2010-07-08
Applicant: 中国人民解放军总参谋部工程兵科研三所
IPC: E04B1/98
Abstract: 本发明公开了一种磁流变阻尼器的磁流变液抗沉降方法，其是在磁流变阻尼器(1)的缸筒上设置有进、出液口，在进、出液口之间设置一自循环装置，当磁流变阻尼器长期处于静置时，定期启动自循环装置，使磁流变液通过自循环装置进行循环流动，确保磁流变液长期均匀稳定；所述的自循环装置主要由微型电磁阀(2)、微型泵(5)构成，微型电磁阀(2)和微型泵分别与磁流变阻尼器(1)上的控制器(3)连接；微型电磁阀(2)一端通过管路(7)与磁流变阻尼器缸筒上的出液口连接，另一端与微型泵连接，微型泵(5)通过管路与磁流变阻尼器缸筒上的进液口连接。本发明适用于长期处于静置状态的磁流变阻尼器，使磁流变阻尼器的应用前景更加广阔。
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公开(公告)号：CN202601350U
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201220229133.2
申请日：2012-05-22
Applicant: 中国人民解放军总参谋部工程兵科研三所
Abstract: 本实用新型公开了一种室内大型磁场发生器，包括磁场线圈支撑装置磁场和磁场线圈，所述的磁场线圈支撑装置设置在室内，其包括磁场线圈支撑机构、试验平台，试验平台位于支撑机构的下部，所述的支撑机构由一组竖直磁场线圈支撑架（5）和磁场线圈轴线平行且与磁场线圈相切的刻度条（6）连接固定而成，每根刻度条（6）与单匝磁场线圈仅有一个定位刻度槽，单根刻度条上相邻刻度槽的间距与磁场线圈匝距相等，刻度槽的数量与磁场线圈的总匝数相等；所述的磁场线圈绕制在刻度条上。本实用新型磁场线圈定位准确，结构圆度好，施工速度快，适用于室内大型磁场发生器。
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公开(公告)号：CN201332131Y
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200920088059.5
申请日：2009-01-09
Applicant: 中国人民解放军总参谋部工程兵科研三所
Abstract: 本实用新型公开了一种组件式多波段大功率窄带微波源，所述的窄带微波源由微波源柜体(1)、微波组件机柜(2)、共用高压电源和高压调制器部分(6)以及共用控制电路部分(7)构成，微波源机柜(1)内部分三层，微波组件机柜(2)位于上层，共用高压电源和高压调制器部分位于中层(6)，共用控制电路部分位于下层(7)；微波源柜体上设置有辐射天线(8)。本实用新型设计合理，结构紧凑，指标先进，功能完善，操作方便，工作稳定性高，便于开展室内外各种微波试验，为各种非核电磁脉冲防护研究提供了先进完善的试验条件，是目前国内和军内唯一的可独立承担各种非核电磁脉冲工程防护室内外试验任务的高性能防护试验系统。
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