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发明公开
一种医用LED的制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN116741895A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202211532940.6

申请日：2022-11-29

Applicant: 中国人民解放军总医院第一医学中心

Inventor： 李云奇 , 柴宁莉 , 王新维 , 张宁 , 王军喜 , 令狐恩强

IPC: H01L33/00

Abstract: 本公开涉及医学、微电子及半导体工艺技术领域，公开了一种医用LED的制备方法，包括：对衬底进行外延制备InGaN/GaN多量子阱层；对InGaN/GaN多量子阱层进行激光退火，在InGaN/GaN多量子阱层形成InGaN量子点结构；对激光退火后的InGaN/GaN多量子阱层进行二次外延，得到LED结构。利用本公开，通过在InGaN/GaN多量子阱层上采用激光退火技术，使得表面量子阱层的In组分发生聚集，形成量子点结构，增大了内量子效率，提高了载流子辐射复合效率，使发光波长发生了红移，光致发光光谱的强度增大，二次外延形成LED结构后，大大提升了LED的光输出功率。

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