公开(公告)号：CN114460158B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202210096989.5

申请日：2022-01-27

Applicant: 中南林业科技大学

Inventor： 肖红波 ,  王文磊 ,  陈俊蓉 ,  叶梦华 ,  徐涛

IPC: G01N27/48 ,  G01N27/30

Abstract: 本发明涉及一种多晶金修饰电极，包括碳电极、碳电极表面的吡啶类配体修饰膜以及被吡啶类配体修饰膜吸附的纳米金，吡啶类配体修饰膜诱导金染液扩繁所述纳米金而形成Au(111)晶面占主导的多晶金；所述吡啶类配体修饰膜由吡啶类有机物前驱体与所述碳电极共价键合而成；所述吡啶类配体修饰膜厚度在单分子层级别，性质稳定。所述吡啶类配体修饰膜通过碳电极上电还原1,8‑萘啶、4‑氰基吡啶、吡啶‑2‑磺酸和吡啶‑2‑甲酸中的一种制备，得到PyA/CE；PyA/CE选择性通过Au(100)和Au(110)晶面吸附纳米金，保留其Au(111)晶面，得到AuNPs/PyA/CE；Au(111)晶面可诱导扩繁纳米金沿Au(111)晶面生长，生成多晶金修饰电极(Au(111)‑D/PyA/CE)。应用Au(111)‑D/PyA/CE阳极溶出伏安法检测As(III)时分析灵敏度高、稳定性好、抗干扰性强。

公开(公告)号：CN114460158A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202210096989.5

申请日：2022-01-27

Applicant: 中南林业科技大学

Inventor： 肖红波 ,  王文磊 ,  陈俊蓉 ,  叶梦华 ,  徐涛

IPC: G01N27/48 ,  G01N27/30

Abstract: 本发明涉及一种多晶金修饰电极，包括碳电极、碳电极表面的吡啶类配体修饰膜以及被吡啶类配体修饰膜吸附的纳米金，吡啶类配体修饰膜诱导金染液扩繁所述纳米金而形成Au(111)晶面占主导的多晶金；所述吡啶类配体修饰膜由吡啶类有机物前驱体与所述碳电极共价键合而成；所述吡啶类配体修饰膜厚度在单分子层级别，性质稳定。所述吡啶类配体修饰膜通过碳电极上电还原1,8‑萘啶、4‑氰基吡啶、吡啶‑2‑磺酸和吡啶‑2‑甲酸中的一种制备，得到PyA/CE；PyA/CE选择性通过Au(100)和Au(110)晶面吸附纳米金，保留其Au(111)晶面，得到AuNPs/PyA/CE；Au(111)晶面可诱导扩繁纳米金沿Au(111)晶面生长，生成多晶金修饰电极(Au(111)‑D/PyA/CE)。应用Au(111)‑D/PyA/CE阳极溶出伏安法检测As(III)时分析灵敏度高、稳定性好、抗干扰性强。