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公开(公告)号：CN108218457B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201810226153.6
申请日：2018-03-19
Applicant: 中南大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C25D13/04 , C25D13/02
Abstract: 本发明公开了一种含纳米增强体的SiCf/SiC复合材料的制备方法，用于解决现有制备方法可控性差、纤维损伤严重、电泳沉积不均匀等技术问题。方案利用辅助电极改善电泳沉积工艺，在碳化硅纤维的界面层上快速均匀的沉积纳米增强体，通过控制电泳参数实现对纳米增强体在纤维界面层分布的精确控制，后续通过化学气相沉积和浸渍裂解等工艺实现SiCf/SiC复合材料的致密化。本发明的制备方法简单、工艺可控，对设备要求低，具有很好的应用价值。所制备的SiCf/SiC复合材料具有优异的的抗氧化性能和力学性能。
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公开(公告)号：CN108218457A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810226153.6
申请日：2018-03-19
Applicant: 中南大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C25D13/04 , C25D13/02
CPC classification number: C04B35/806 , C04B35/565 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C25D13/02 , C25D13/04
Abstract: 本发明公开了一种含纳米增强体的SiCf/SiC复合材料的制备方法，用于解决现有制备方法可控性差、纤维损伤严重、电泳沉积不均匀等技术问题。方案利用辅助电极改善电泳沉积工艺，在碳化硅纤维的界面层上快速均匀的沉积纳米增强体，通过控制电泳参数实现对纳米增强体在纤维界面层分布的精确控制，后续通过化学气相沉积和浸渍裂解等工艺实现SiCf/SiC复合材料的致密化。本发明的制备方法简单、工艺可控，对设备要求低，具有很好的应用价值。所制备的SiCf/SiC复合材料具有优异的抗氧化性能和力学性能。
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公开(公告)号：CN113831131B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202111330278.1
申请日：2021-11-11
Applicant: 中南大学
IPC: C04B35/524 , C04B35/622 , C04B38/00 , C04B41/89 , H05K9/00
Abstract: 本发明提供一种碳泡沫原位生长碳纳米管复合电磁屏蔽材料，由如下制备方法制备得到：将密胺泡沫置于高温管式炉中碳化，得到碳泡沫；采用溶液法或者物理气相沉积的方法，在碳泡沫表面沉积一层二氧化硅层，得到二氧化硅层修饰的碳泡沫；将二氧化硅层修饰的碳泡沫置于高温管式炉中，通过化学气相沉积的方法在碳泡沫骨架上原位生长碳纳米管，从而制备得到碳泡沫原位生长碳纳米管复合电磁屏蔽材料。本发明提供的碳泡沫原位生长碳纳米管复合电磁屏蔽材料，具有生长密度高、电磁屏蔽效能高、稳定性好等特点。本发明还提供一种碳泡沫原位生长碳纳米管复合电磁屏蔽材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN113831131A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111330278.1
申请日：2021-11-11
Applicant: 中南大学
IPC: C04B35/524 , C04B35/622 , C04B38/00 , C04B41/89 , H05K9/00
Abstract: 本发明提供一种碳泡沫原位生长碳纳米管复合电磁屏蔽材料，由如下制备方法制备得到：将密胺泡沫置于高温管式炉中碳化，得到碳泡沫；采用溶液法或者物理气相沉积的方法，在碳泡沫表面沉积一层二氧化硅层，得到二氧化硅层修饰的碳泡沫；将二氧化硅层修饰的碳泡沫置于高温管式炉中，通过化学气相沉积的方法在碳泡沫骨架上原位生长碳纳米管，从而制备得到碳泡沫原位生长碳纳米管复合电磁屏蔽材料。本发明提供的碳泡沫原位生长碳纳米管复合电磁屏蔽材料，具有生长密度高、电磁屏蔽效能高、稳定性好等特点。本发明还提供一种碳泡沫原位生长碳纳米管复合电磁屏蔽材料的制备方法。
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