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公开(公告)号：CN109686824A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811603545.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管半球形裸芯片、制备方法及制备装置，属于半导体技术领域，半球形裸芯片，包括衬底，所述衬底同一侧由内至外依次层叠有u-GaN层、n-GaN层、InGaN/GaN量子阱、p-GaN层和第一ITO层，形成半球形结构；所述n-GaN层上设有一个台阶，台阶上设有第二ITO层，所述第二ITO层的上表面设有N电极，第一ITO层的上表面设有P电极。本发明极大的增加了LED发光效率和发光角度，减少了成品LED需要的反射镜等辅助器件，并缩小LED的体积。本发明通过引入旋转装置，通过控制旋转平台的旋转，使得等离子体能够以任意角度轰击芯片表面，在等离子体轰击芯片表面的过程中，刻蚀作用相当于机械加工过程的磨削，从而可以从各个角度进行刻蚀，得到半球形裸芯片。
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公开(公告)号：CN109686824B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201811603545.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管半球形裸芯片、制备方法及制备装置，属于半导体技术领域，半球形裸芯片，包括衬底，所述衬底同一侧由内至外依次层叠有u‑GaN层、n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱、p‑GaN层和第一ITO层，形成半球形结构；所述n‑GaN层上设有一个台阶，台阶上设有第二ITO层，所述第二ITO层的上表面设有N电极，第一ITO层的上表面设有P电极。本发明极大的增加了LED发光效率和发光角度，减少了成品LED需要的反射镜等辅助器件，并缩小LED的体积。本发明通过引入旋转装置，通过控制旋转平台的旋转，使得等离子体能够以任意角度轰击芯片表面，在等离子体轰击芯片表面的过程中，刻蚀作用相当于机械加工过程的磨削，从而可以从各个角度进行刻蚀，得到半球形裸芯片。
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