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发明公开
高频低导磁系数低损耗磁粉芯及其制备方法无效

公开(公告)号：CN1622231A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200310116696.6

申请日：2003-11-27

Applicant: 中南大学

Inventor： 易健宏 , 彭元东 , 李丽娅 , 邹联隆

IPC: H01F1/14 , H01F3/08 , H01F41/02

Abstract: 本发明涉及粉末冶金领域，尤其是一种高频低导磁系数μ低损耗磁粉芯及其制备方法，其特征在于：它的成分为二元系铁镍合金添加Mo，Ni的含量取为75～82％，Mo的添加量为1～3％，余量为Fe，熔炼温度为1600℃，成型压力压力取1000～1200MPa，热处理温度取450～550℃，保温时间取1小时，本发明的高频低导磁系数μ低损耗磁磁粉芯的物理性能和磁性能优良。100kHz下磁粉芯导磁系数导磁系数μ值变化小于0.3％；30kHz时，导磁系数μ＝60±5，Q＝100～120；磁粉芯的损耗P0.5/40K＜12.5w/kg，满足了高频领域高性能电子器件的要求。

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