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公开(公告)号:CN105161615A
公开(公告)日:2015-12-16
申请号:CN201510561180.5
申请日:2015-09-06
Applicant: 中南大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于纤维衬底的忆阻器及其制备方法,该忆阻器由上至下依次为柔性纤维衬底I、隔离层I、上电极、存储介质层薄膜、下电极、隔离层II和柔性纤维衬底II;忆阻器的制备方法是在柔性纤维衬底I表面依次沉积隔离层I和上电极,记为部件A;在柔性纤维衬底II表面依次沉积隔离层II、下电极和存储介质层薄膜,记为部件B;将部件A和部件B以任意角度接触,在接触处形成忆阻器。该忆阻器具有良好的柔韧性、可弯曲、质量轻的特点,有利于推动电子产品的轻型化发展;与现有的CMOS工艺兼容,且其制备方法简单,生产效率高,成本低,满足大规模生产的需求,具有产业化价值。
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公开(公告)号:CN105161615B
公开(公告)日:2019-04-09
申请号:CN201510561180.5
申请日:2015-09-06
Applicant: 中南大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于纤维衬底的忆阻器及其制备方法,该忆阻器由上至下依次为柔性纤维衬底I、隔离层I、上电极、存储介质层薄膜、下电极、隔离层II和柔性纤维衬底II;忆阻器的制备方法是在柔性纤维衬底I表面依次沉积隔离层I和上电极,记为部件A;在柔性纤维衬底II表面依次沉积隔离层II、下电极和存储介质层薄膜,记为部件B;将部件A和部件B以任意角度接触,在接触处形成忆阻器。该忆阻器具有良好的柔韧性、可弯曲、质量轻的特点,有利于推动电子产品的轻型化发展;与现有的CMOS工艺兼容,且其制备方法简单,生产效率高,成本低,满足大规模生产的需求,具有产业化价值。
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公开(公告)号:CN105948810B
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201610313313.1
申请日:2016-05-12
Applicant: 中南大学
Inventor: 黄小忠 , 肖路军 , 杜作娟 , 岳建岭 , 王春齐 , 唐秀之 , 许慎微 , 邹杨君 , 谭飞龙 , 成雨果 , 韦勇山 , 周丁 , 王翔宇 , 梁艳梅 , 廖潘兴 , 惠忆聪 , 刘坤 , 胡春华 , 罗璐磊 , 王畅 , 朱文华 , 王强 , 吴辉剑
Abstract: 本发明涉及一种三维网状通孔复合材料及其制备,属于通孔复合材料设计制备技术领域。本发明所述三维网状通孔复合材料包括纤维层、含Be碳化硅层,所述含Be碳化硅层包覆在纤维层上;所述三维网状通孔复合材料中Be的质量百分含量大于等于0.1%;所述三维网状通孔复合材料的孔隙率大于等于50%。其制备方法为:在具有三维网状结构的结构件上编织纤维,得到预制体后置于浸渍液中,浸渍,得到浸渍后的预制体;接着将浸渍后的预制体加热到240~360℃,保温,得到半成品;半成品被置于含氧气氛中进行预氧化处理,得到预氧化坯;最后对预氧化坯进行烧结,得到三维网状通孔复合材料;所述烧结的温度为1100~1500℃。
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公开(公告)号:CN105948810A
公开(公告)日:2016-09-21
申请号:CN201610313313.1
申请日:2016-05-12
Applicant: 中南大学
Inventor: 黄小忠 , 肖路军 , 杜作娟 , 岳建岭 , 王春齐 , 唐秀之 , 许慎微 , 邹杨君 , 谭飞龙 , 成雨果 , 韦勇山 , 周丁 , 王翔宇 , 梁艳梅 , 廖潘兴 , 惠忆聪 , 刘坤 , 胡春华 , 罗璐磊 , 王畅 , 朱文华 , 王强 , 吴辉剑
CPC classification number: C04B38/0615 , C04B35/806 , C04B2235/5216 , C04B2235/5224 , C04B2235/5244 , C04B2235/5248 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B38/0022 , C04B38/0067
Abstract: 本发明涉及一种三维网状通孔复合材料及其制备,属于通孔复合材料设计制备技术领域。本发明所述三维网状通孔复合材料包括纤维层、含Be碳化硅层,所述含Be碳化硅层包覆在纤维层上;所述三维网状通孔复合材料中Be的质量百分含量大于等于0.1%;所述三维网状通孔复合材料的孔隙率大于等于50%。其制备方法为:在具有三维网状结构的结构件上编织纤维,得到预制体后置于浸渍液中,浸渍,得到浸渍后的预制体;接着将浸渍后的预制体加热到240~360℃,保温,得到半成品;半成品被置于含氧气氛中进行预氧化处理,得到预氧化坯;最后对预氧化坯进行烧结,得到三维网状通孔复合材料;所述烧结的温度为1100~1500℃。
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