一种基于纤维衬底的忆阻器及其制备方法

    公开(公告)号:CN105161615A

    公开(公告)日:2015-12-16

    申请号:CN201510561180.5

    申请日:2015-09-06

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于纤维衬底的忆阻器及其制备方法,该忆阻器由上至下依次为柔性纤维衬底I、隔离层I、上电极、存储介质层薄膜、下电极、隔离层II和柔性纤维衬底II;忆阻器的制备方法是在柔性纤维衬底I表面依次沉积隔离层I和上电极,记为部件A;在柔性纤维衬底II表面依次沉积隔离层II、下电极和存储介质层薄膜,记为部件B;将部件A和部件B以任意角度接触,在接触处形成忆阻器。该忆阻器具有良好的柔韧性、可弯曲、质量轻的特点,有利于推动电子产品的轻型化发展;与现有的CMOS工艺兼容,且其制备方法简单,生产效率高,成本低,满足大规模生产的需求,具有产业化价值。

    一种基于纤维衬底的忆阻器及其制备方法

    公开(公告)号:CN105161615B

    公开(公告)日:2019-04-09

    申请号:CN201510561180.5

    申请日:2015-09-06

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于纤维衬底的忆阻器及其制备方法,该忆阻器由上至下依次为柔性纤维衬底I、隔离层I、上电极、存储介质层薄膜、下电极、隔离层II和柔性纤维衬底II;忆阻器的制备方法是在柔性纤维衬底I表面依次沉积隔离层I和上电极,记为部件A;在柔性纤维衬底II表面依次沉积隔离层II、下电极和存储介质层薄膜,记为部件B;将部件A和部件B以任意角度接触,在接触处形成忆阻器。该忆阻器具有良好的柔韧性、可弯曲、质量轻的特点,有利于推动电子产品的轻型化发展;与现有的CMOS工艺兼容,且其制备方法简单,生产效率高,成本低,满足大规模生产的需求,具有产业化价值。

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