-
公开(公告)号：CN114590018A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210243727.7
申请日：2022-03-10
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于丝网印刷的超声血压贴片制造方法，包括如下步骤：利用丝网印刷制作微电路；压电换能器和引线键合；使用硅酮和Ecoflex在两片载玻片中进行灌装，室温固化实现弹性封装；取出载玻片，即得超声血压贴片。本申请利用丝网印刷技术制备超声血压贴片的微电路，不仅方法简单，对设备要求不高，而且大大降低了工艺难度和经济成本，简化了工艺流程。
-
公开(公告)号：CN111725401B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010611824.8
申请日：2020-06-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种光存储复合型忆阻器及其制备方法与应用，包括光电探测器和pn异质结构模拟型忆阻器，光电探测器和pn异质结构模拟型忆阻器共用一个衬底，光电探测器从衬底往上依次包括光电转化层和金属上电极，pn异质结构模拟型忆阻器从衬底往上依次包括金属下电极、p型氧化物薄膜层、n型氧化物薄膜层、金属上电极；光电探测器的金属上电极与pn异质结构模拟型忆阻器的金属上电极是连接在一起。本发明采用模拟型忆阻器(突触器件)与光电探测器复合制备成复合型忆阻器，可以通过不同光激发图像传感器光电导效应，精确调节模拟型忆阻器两端电压及电阻值，最终可以实现光信号对忆阻器阻值的精确调控，从而进一步实现更真实的人工视觉记忆仿生模拟。
-
公开(公告)号：CN111725401A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010611824.8
申请日：2020-06-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种光存储复合型忆阻器及其制备方法与应用，包括光电探测器和pn异质结构模拟型忆阻器，光电探测器和pn异质结构模拟型忆阻器共用一个衬底，光电探测器从衬底往上依次包括光电转化层和金属上电极，pn异质结构模拟型忆阻器从衬底往上依次包括金属下电极、p型氧化物薄膜层、n型氧化物薄膜层、金属上电极；光电探测器的金属上电极与pn异质结构模拟型忆阻器的金属上电极是连接在一起。本发明采用模拟型忆阻器(突触器件)与光电探测器复合制备成复合型忆阻器，可以通过不同光激发图像传感器光电导效应，精确调节模拟型忆阻器两端电压及电阻值，最终可以实现光信号对忆阻器阻值的精确调控，从而进一步实现更真实的人工视觉记忆仿生模拟。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.014 seconds)
