公开(公告)号：CN115633533A

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211292720.0

申请日：2022-10-21

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘芳洋 ,  肖涵睿 ,  曾强 ,  刘丝靓 ,  张宗良 ,  贾明 ,  蒋良兴

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K30/50 ,  H10K30/10

Abstract: 本发明公开了一种制备无机钙钛矿薄膜的方法，其包括步骤：A：按一定比例称取卤化铯、卤化铅，溶于二甲基亚砜、二甲基亚酰胺的混合溶液中，完全溶解后加入醋酸盐或草酸盐，得到前驱体溶液；B：将上述前驱体溶液在基底上进行涂敷得到预制层薄膜，之后退火得到钙钛矿薄膜；C：将一定量的碘化甲胺和卤化铯溶于特定溶剂中配置成后处理溶液，或将碘化甲胺加入到空穴传输层溶液中；D：在B步骤得到的钙钛矿薄膜上旋涂一层C步骤中的后处理溶液或旋涂已经加入了卤化甲胺的空穴传输层溶液，退火后完成薄膜后处理。该方法能够有效降低退火温度；实现在最大80％相对湿度的条件下制备无机钙钛矿薄膜；所制备的薄膜质量高，在空气中的稳定性好。

公开(公告)号：CN109671786A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201811582179.0

申请日：2018-12-24

Applicant: 中南大学

Inventor： 肖涵睿 ,  肖劲 ,  刘芳洋 ,  蒋良兴 ,  贾明

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种叠层太阳电池顶电池及其制备方法，该叠层太阳电池顶电池包括依次叠层的透明导电玻璃衬底，电子传输层，Cu2BaSnS4或Cu2SrSnS4光吸收层，透明顶电极。Cu2BaSnS4或Cu2SrSnS4材料禁带宽度较高，光吸收系数高，且比传统的CZTS具有更低的反位缺陷密度，会获得更高的开路电压，非常适合作为叠层太阳电池顶电池的光吸收层材料。该叠层太阳电池顶电池结构简单，组成元素无毒无害，稳定性好，制备方法简单易行。

公开(公告)号：CN115942845A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211488102.3

申请日：2022-11-25

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘芳洋 ,  肖涵睿 ,  曾强 ,  刘丝靓 ,  张宗良 ,  贾明 ,  蒋良兴

IPC: H10K71/12 ,  H10K85/50 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50

Abstract: 本发明公开了一种经济环保的钙钛矿薄膜制备方法，制备工艺简单，不需要昂贵、复杂的设备，薄膜质量、薄膜均匀性好，基于该方法的钙钛矿太阳电池光电转换效率高。对原材料、有机溶剂的浪费非常少，所有溶剂都可以重复使用，实现了对材料的最大化利用；整个过程对环境污染极少，能耗低，能够经济环保地制备高质量钙钛矿薄膜，对钙钛矿太阳电池的效率提升、产业化推广起到巨大作用。

公开(公告)号：CN108707920B

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201810543402.4

申请日：2018-05-31

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘芳洋 ,  肖涵睿 ,  蒋良兴 ,  赖延清 ,  肖劲 ,  李劼 ,  刘业翔

IPC: C25B1/21

Abstract: 本发明公开了一种光电化学冶金制备二氧化锰的方法，该方法包括以下步骤：A，制备包含有锰盐和酸的电解液，其中锰盐和酸的阴离子相同，阴离子包括硫酸根离子或氯离子中的任一种；B，将电解液、阴极和阳极放入电解槽中，在阳极上施加光照，采用恒电流电解沉积二氧化锰，其中，光照中含有能量大于或等于0.58eV的光子；C，将二氧化锰从阳极上剥落，并将剥落后的二氧化锰依次进行粉碎、洗涤、中和以及干燥，得到二氧化锰产品。本发明提出的技术方案降低了电极欧姆压降、反应阻抗、槽电压和电解温度，提升了可采用的阳极电流密度，且槽电压不会因此升高，进而提升沉积速率和产能，降低能耗。

公开(公告)号：CN109686817A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811564344.X

申请日：2018-12-20

Applicant: 中南大学

Inventor： 肖涵睿 ,  肖劲 ,  刘芳洋 ,  蒋良兴 ,  贾明

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  C01G29/00

Abstract: 本发明公开了一种AgBiS2半导体薄膜的制备方法，该方法是先分别制备含有银的溶液和含有铋的溶液，然后再将两种溶液混合，加入硫脲后加热搅拌，再加入添加剂混合得到稳定、粘度合适的前驱体溶液，然后镀膜、预烧得到预制层，最后再经过退火工艺，提升薄膜的结晶性，最终制备出AgBiS2半导体薄膜。该方法具有操作简单、反应条件温和、对设备要求低、成本低廉、易于工业化生产的优点，制备的AgBiS2半导体薄膜成膜质量佳，颗粒较大，物相纯正，有利于提高薄膜材料的光伏性能，且薄膜的光吸收系数高，禁带宽度合适，电学性能好，载流子迁移率高，非常适合作为薄膜太阳的电池吸收层材料。

公开(公告)号：CN108707920A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201810543402.4

申请日：2018-05-31

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘芳洋 ,  肖涵睿 ,  蒋良兴 ,  赖延清 ,  肖劲 ,  李劼 ,  刘业翔

IPC: C25B1/21

Abstract: 本发明公开了一种光电化学冶金制备二氧化锰的方法，该方法包括以下步骤：A，制备包含有锰盐和酸的电解液，其中锰盐和酸的阴离子相同，阴离子包括硫酸根离子或氯离子中的任一种；B，将电解液、阴极和阳极放入电解槽中，在阳极上施加光照，采用恒电流电解沉积二氧化锰，其中，光照中含有能量大于或等于0.58eV的光子；C，将二氧化锰从阳极上剥落，并将剥落后的二氧化锰依次进行粉碎、洗涤、中和以及干燥，得到二氧化锰产品。本发明提出的技术方案降低了电极欧姆压降、反应阻抗、槽电压和电解温度，提升了可采用的阳极电流密度，且槽电压不会因此升高，进而提升沉积速率和产能，降低能耗。