公开(公告)号：CN109569658B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201910018040.1

申请日：2019-01-09

Applicant: 中南大学

Inventor： 蒋良兴 ,  陈佳 ,  王天意 ,  吴杰 ,  刘芳洋 ,  贾明

IPC: B01J27/04 ,  B01J35/06 ,  C23C18/12 ,  H01M4/1397

Abstract: 本发明公开了一种提高硫化锑薄膜光电性能的方法，该方法采用一种新型的水溶液沉积方法与热处理结合的制备方法制备硫化锑薄膜，通过旋涂、浸泡、热蒸发、电沉积和光电沉积等方法在硫化锑电极表面原位生长助催化剂，制备Sb2S3/Co3O4、Sb2S3/Co‑Pi和Sb2S3/FeOOH等复合电极；提高Sb2S3电极的光电化学性能。该方法具有设备、操作简单、价格便宜和易于连续生产等优点，同时负载助催化剂之后，极大的提升了硫化锑薄膜的光电性能。

公开(公告)号：CN111562155A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN202010548829.0

申请日：2020-06-16

Applicant: 中南大学

Inventor： 蒋良兴 ,  王天意 ,  彭阳 ,  王君 ,  刘芳洋 ,  贾明 ,  赖延清 ,  李劼

IPC: G01N1/28 ,  G01N21/29 ,  G01N21/27 ,  G01N27/26 ,  G01N27/30

Abstract: 本发明涉及微量硫离子(S2-)分析检测领域，具体公开了一种硫离子浓度的可视化、光电化学检测方法：将包覆有活性薄膜的传感材料置入含硫离子的待测溶液中进行预处理；随后采用可视化比色法或者光电化学法对预处理后的传感材料进行检测，获得待测溶液中的S2-的离子浓度；活性薄膜的材料为金属氧化物，或者为所述金属氧化物与其他半导体金属形成的异质结；所述金属氧化物的化学式为MxOy-z。本发明创新地利用所述金属氧化物及其异质结的活性薄膜作为传感材料，且创新地发现，所述的传感材料和溶液中的S2-之间的相互表面作用在可视化比色以及光电化学方面意外地具有优异的线型相互关系，可实现溶液中的S2-的可视化以及光电化学的快速、准确、低限量测定。

公开(公告)号：CN109569658A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201910018040.1

申请日：2019-01-09

Applicant: 中南大学

Inventor： 蒋良兴 ,  陈佳 ,  王天意 ,  吴杰 ,  刘芳洋 ,  贾明

IPC: B01J27/04 ,  B01J35/06 ,  C23C18/12 ,  H01M4/1397

Abstract: 本发明公开了一种提高硫化锑薄膜光电性能的方法，该方法采用一种新型的水溶液沉积方法与热处理结合的制备方法制备硫化锑薄膜，通过旋涂、浸泡、热蒸发、电沉积和光电沉积等方法在硫化锑电极表面原位生长助催化剂，制备Sb2S3/Co3O4、Sb2S3/Co-Pi和Sb2S3/FeOOH等复合电极；提高Sb2S3电极的光电化学性能。该方法具有设备、操作简单、价格便宜和易于连续生产等优点，同时负载助催化剂之后，极大的提升了硫化锑薄膜的光电性能。

公开(公告)号：CN111562155B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202010548829.0

申请日：2020-06-16

Applicant: 中南大学

Inventor： 蒋良兴 ,  王天意 ,  彭阳 ,  王君 ,  刘芳洋 ,  贾明 ,  赖延清 ,  李劼

IPC: G01N1/28 ,  G01N21/29 ,  G01N21/27 ,  G01N27/26 ,  G01N27/30

Abstract: 本发明涉及微量硫离子(S2‑)分析检测领域，具体公开了一种硫离子浓度的可视化、光电化学检测方法：将包覆有活性薄膜的传感材料置入含硫离子的待测溶液中进行预处理；随后采用可视化比色法或者光电化学法对预处理后的传感材料进行检测，获得待测溶液中的S2‑的离子浓度；活性薄膜的材料为金属氧化物，或者为所述金属氧化物与其他半导体金属形成的异质结；所述金属氧化物的化学式为MxOy‑z。本发明创新地利用所述金属氧化物及其异质结的活性薄膜作为传感材料，且创新地发现，所述的传感材料和溶液中的S2‑之间的相互表面作用在可视化比色以及光电化学方面意外地具有优异的线型相互关系，可实现溶液中的S2‑的可视化以及光电化学的快速、准确、低限量测定。