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公开(公告)号：CN103938013B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410085656.8
申请日：2014-03-10
Applicant: 中南大学
Abstract: 一种组织均匀金锡共晶合金箔片的制备方法，包括下述步骤：精确配制锡质量百分数为20%，金质量百分数为80%的金锡合金原料；在非自耗电弧熔炼炉中，真空度达10-3Pa下，重复熔炼、电磁搅拌、冷却至少3次；得到金锡合金铸锭；铸锭均匀化退火后，进行多道次热压缩，得到金锡共晶箔片；本发明采用真空电弧熔炼、循环电磁搅拌、循环热压缩，制备共晶点成分无初生相的全片层共晶组织，相比于现有技术，本发明达到了完全合金化，强度更高，焊接性能更好，未添加其他组元或调整金锡成分比例，焊接温度及性能更稳定，焊片变形受力更为均匀，不易出现焊片开裂状况，成品率高，且生产效率大大高于电镀法制备金锡焊片，生产成本降低，适用于批量生产。
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公开(公告)号：CN104282582A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410474489.6
申请日：2014-09-17
Applicant: 中南大学
CPC classification number: H01L24/27 , H01L24/29 , H01L2224/27 , H01L2924/0132
Abstract: 本发明涉及一种Ni-P基板的封装方法；属于电子封装技术领域。本发明将5-20wt％的纳米镍粉与80-95wt％的助焊剂混合均匀后，涂覆或印刷于Ni-P基板上，然后再涂覆或印刷锡基焊料，得到待焊基板，然后将待焊基板置于磁场强度梯度为3-5×104G/m，且基板处磁感应强度为1000-2000G范围的静磁场中(磁场源在Ni-P板内侧)，进行回流焊接。本发明大大降低了焊点在服役过程中Ni-P的消耗速率，同时抑制了金属间化合物的长大，同时还避免了界面金属间化合物的分层或者剥离情况的出现。本发明焊点可靠性更好，且成本低，生产效率高，技术稳定性优良，适用于大规模工业应用。
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公开(公告)号：CN103938013A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410085656.8
申请日：2014-03-10
Applicant: 中南大学
Abstract: 一种组织均匀金锡共晶合金箔片的制备方法，包括下述步骤：精确配制锡质量百分数为20%，金质量百分数为80%的金锡合金原料；在非自耗电弧熔炼炉中，真空度达10-3Pa下，重复熔炼、电磁搅拌、冷却至少3次；得到金锡合金铸锭；铸锭均匀化退火后，进行多道次热压缩，得到金锡共晶箔片；本发明采用真空电弧熔炼、循环电磁搅拌、循环热压缩，制备共晶点成分无初生相的全片层共晶组织，相比于现有技术，本发明达到了完全合金化，强度更高，焊接性能更好，未添加其他组元或调整金锡成分比例，焊接温度及性能更稳定，焊片变形受力更为均匀，不易出现焊片开裂状况，成品率高，且生产效率大大高于电镀法制备金锡焊片，生产成本降低，适用于批量生产。
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公开(公告)号：CN104282582B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410474489.6
申请日：2014-09-17
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种Ni-P基板的封装方法；属于电子封装技术领域。本发明将5-20wt％的纳米镍粉与80-95wt％的助焊剂混合均匀后，涂覆或印刷于Ni-P基板上，然后再涂覆或印刷锡基焊料，得到待焊基板，然后将待焊基板置于磁场强度梯度为3-5×104G/m，且基板处磁感应强度为1000-2000G范围的静磁场中(磁场源在Ni-P板内侧)，进行回流焊接。本发明大大降低了焊点在服役过程中Ni-P的消耗速率，同时抑制了金属间化合物的长大，同时还避免了界面金属间化合物的分层或者剥离情况的出现。本发明焊点可靠性更好，且成本低，生产效率高，技术稳定性优良，适用于大规模工业应用。
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