公开(公告)号：CN101603200A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910043884.8

申请日：2009-07-10

Applicant: 中南大学

Inventor： 贺跃辉 ,  王世良 ,  刘新利 ,  张泉

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/02 ,  C30B29/62

Abstract: 一种直径和长度可控的钨晶须阵列的制备方法，包括以下工艺步骤：1.将WO3粉末及沉积基底依次放置于炉内气氛为惰性气体或氮气的反应炉中，加热至850～1100℃；2.从所述反应炉中放置有WO3粉末的一端通入携带有水蒸汽的流动载气，其中的水蒸汽直接与所述WO3粉末反应，生成气态WO2(OH)2；同时，向所述反应炉中通入还原性气体，所述还原性气体与所述气态WO2(OH)2发生还原反应，即在所述沉积基底上形成W晶须阵列；3.达到设定的反应时间后，先关闭载气，保持反应炉内还原性气氛不变，随炉降温至室温。本发明工艺合理、操作方便、设备简单、合成温度低、产率高、所合成的钨晶须直径和长度可控，合成成本低、能耗低。

公开(公告)号：CN101555622A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910043330.8

申请日：2009-05-08

Applicant: 中南大学

Inventor： 贺跃辉 ,  王世良 ,  刘新利 ,  张泉

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/62 ,  C30B29/02

Abstract: 钨单晶晶须的低温催化合成方法，包括下述工艺步骤：1：按质量百分比取5％～30％的金属硝酸盐与70％～95％的氧化钨粉末混合均匀；2：将步骤1所得混合物在750～950℃温度下煅烧2小时，得到混合金属氧化物；3：将步骤2获得的金属氧化物粉末置于管式炉中，加热到800～1000℃，同时通入露点在15～40℃的过水氢气和氮气的混合气体，保温0.5～2小时进行还原反应，保持气氛不变，随炉降至室温，其中氮气和氢气的体积比为1∶3。本发明工艺方法简单、合成条件易于控制、操作方便、合成成本低廉、合成的钨晶须长径比大、纯度高、产量大，对设备要求简单，适于工业化生产，为高纯度钨单晶晶须的产业化提供了一种可行的技术方案。