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公开(公告)号：CN113555161A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110760645.5
申请日：2021-07-06
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种纳米线电极的图形化方法，包括下述步骤：将薄柔性膜覆盖在柔性衬底上，通过激光切割方式将覆盖的柔性薄膜加工成所需图案结构形成掩膜；采用氧等离子体处理暴露出来的柔性衬底，使暴露出来的疏水柔性衬底亲水；去掉柔性掩膜，将纳米线悬浮液涂布在柔性衬底表面，纳米线悬浮液选择性涂布在衬底的亲水区域；最终通过加热退火处理提高纳米线电极的导电性；本发明由于采用的是润湿辅助方式选择涂布纳米线，能充分利用纳米线，保持纳米线的完整性，获得精细化、低电阻的纳米线电极。
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公开(公告)号：CN109920603B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910165373.7
申请日：2019-03-05
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种提高银纳米线透明导电膜导电性的装置及方法，其中，所述装置包括：控制器，飞秒激光器、聚焦光路、三维运动平台和衬底，所述控制器分别与所述飞秒激光器和所述三维运动平台连接，所述聚焦光路包括光闸、衰减片、反光镜、光阑和透镜，依次设置于所述飞秒激光器和所述三维运动平台之间。本发明所述装置采用的提高银纳米线透明导电膜导电性的方法，有效地降低了银纳米线的结电阻，提高了银纳米线透明导电膜的导电性，同时能避免对银纳米线薄膜及柔性衬底造成损伤，并且本方法易于保持银纳米线透明导电膜的透光性，工艺简单，成本低廉，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN109920603A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910165373.7
申请日：2019-03-05
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种提高银纳米线透明导电膜导电性的装置及方法，其中，所述装置包括：控制器，飞秒激光器、聚焦光路、三维运动平台和衬底，所述控制器分别与所述飞秒激光器和所述三维运动平台连接，所述聚焦光路包括光闸、衰减片、反光镜、光阑和透镜，依次设置于所述飞秒激光器和所述三维运动平台之间。本发明所述装置采用的提高银纳米线透明导电膜导电性的方法，有效地降低了银纳米线的结电阻，提高了银纳米线透明导电膜的导电性，同时能避免对银纳米线薄膜及柔性衬底造成损伤，并且本方法易于保持银纳米线透明导电膜的透光性，工艺简单，成本低廉，适用于工业生产。
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