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公开(公告)号：CN110136638A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910401362.4
申请日：2019-05-15
Applicant: 中南大学
IPC: G09G3/32 , G09G3/3225
Abstract: 本发明公开了一种主动发光型显示器外部补偿电路、驱动系统和驱动信号优化方法。本发明的外部补偿电路针对小电流建立速度慢的问题，利用电流检测模块加速了电流建立速度，同时利用驱动信号产生模块产生斜波、正弦波驱动像素电路中的驱动管，减少因驱动电流过冲造成的补偿环路不稳定的问题。本发明的主动发光型显示器驱动电路，不仅能够保持发光电流的稳定，还能够用斜坡信号或正弦信号加速发光电流的建立速度。
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公开(公告)号：CN107947792A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711380322.3
申请日：2017-12-20
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种低功耗SAR ADC控制逻辑电路，该控制逻辑电路包括移位寄存器模块(10)和数据寄存器模块(20)；所述移位寄存器模块(10)，包括N个改进D触发器，所述数据寄存器模块(20)，包括N个动态比较器；相比于传统电路结构，本发明中的数据寄存器模块(20)的逻辑单元仅需1个动态比较器即可同时储存SAR ADC模拟电路中的比较器双端输出，从而简化了SAR ADC的控制逻辑电路结构，能够有效降低控制逻辑电路部分的功耗，同时，由于本发明电路结构采用了较少的晶体管，从而有利于减小芯片面积。此外，由于动态比较器增加正反馈回路，数据传输延时较低，较传统电路，本发明电路的数据传输速度更快。
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公开(公告)号：CN111309196B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202010170932.6
申请日：2020-03-12
Applicant: 湖南锐阳电子科技有限公司 , 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种可重构的电容触控阵列，在每一个触控传感单元串接若干个阻抗可变的器件从而实现可重构的电容触控阵列。本发明还公开了所述可重构的电容触控阵列的重构方法。本发明的电容单元可以通过电压编程的方法实现容值重构，而且可以实现像素级的等效电容值的精准编程；而且可以针对不同的触控场景，自适应地构建电容传感阵列，实现更精确的电容触控效果；对连续多个电容读出帧，通过设置不同的电容阵列，可能有效提高电容读出的空间分辨率。这可能扩大电容阵列的使用范围，不仅用于触控，还可能用到指纹识别等对电容读出空间分辨率较高的场合。因此，本发明能够能够实现触控电容阵列可配置，而且可靠性高，实用性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111309196A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010170932.6
申请日：2020-03-12
Applicant: 湖南锐阳电子科技有限公司 , 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种可重构的电容触控阵列，在每一个触控传感单元串接若干个阻抗可变的器件从而实现可重构的电容触控阵列。本发明还公开了所述可重构的电容触控阵列的重构方法。本发明的电容单元可以通过电压编程的方法实现容值重构，而且可以实现像素级的等效电容值的精准编程；而且可以针对不同的触控场景，自适应地构建电容传感阵列，实现更精确的电容触控效果；对连续多个电容读出帧，通过设置不同的电容阵列，可能有效提高电容读出的空间分辨率。这可能扩大电容阵列的使用范围，不仅用于触控，还可能用到指纹识别等对电容读出空间分辨率较高的场合。因此，本发明能够能够实现触控电容阵列可配置，而且可靠性高，实用性好。
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公开(公告)号：CN117293139A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311231807.1
申请日：2023-09-22
Applicant: 湖南拓步电子科技有限公司 , 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种显示触控单元电路，包括P‑PAD电极、μLED、N‑PAD电极、第一TFT管、第二TFT管和传感电容；传感电容绝缘地固定在基板上；TX电极和RX电极内嵌到第二TFT管上，传感电容的一端连接第二TFT管的活动端，传感电容的另一端连接RX电极；传感电容同时作为第二TFT管的挡光金属层；TX电极连接第二TFT管的活动端另一端。本发明还公开了一种包括所述显示触控单元电路的透明触控显示屏。本发明避免了上盖板玻璃制备额外的TX和RX电极，精简了工艺，提高了生产效率，也降低了成本，而且能够实现更加精细的触控功能，提高了电路的灵敏度和准确性。
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公开(公告)号：CN107947792B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201711380322.3
申请日：2017-12-20
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种低功耗SAR ADC控制逻辑电路，该控制逻辑电路包括移位寄存器模块(10)和数据寄存器模块(20)；所述移位寄存器模块(10)，包括N个改进D触发器，所述数据寄存器模块(20)，包括N个动态比较器；相比于传统电路结构，本发明中的数据寄存器模块(20)的逻辑单元仅需1个动态比较器即可同时储存SAR ADC模拟电路中的比较器双端输出，从而简化了SAR ADC的控制逻辑电路结构，能够有效降低控制逻辑电路部分的功耗，同时，由于本发明电路结构采用了较少的晶体管，从而有利于减小芯片面积。此外，由于动态比较器增加正反馈回路，数据传输延时较低，较传统电路，本发明电路的数据传输速度更快。
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公开(公告)号：CN107398563A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710612492.3
申请日：2017-07-25
Applicant: 中南大学
Abstract: 一种调控银纳米线长度的方法，包括以下步骤：（1）银纳米线溶液的稀释；（2）氧化石墨烯溶液的制备；（3）不同长度银纳米线的制备。本发明通过加入氧化石墨烯溶液，防止银纳米线直接短路，银纳米线的最大可能长度，可以通过改变步骤（3）中交流电压的大小及通电时间来调控。
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公开(公告)号：CN107398563B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201710612492.3
申请日：2017-07-25
Applicant: 中南大学
Abstract: 一种调控银纳米线长度的方法，包括以下步骤：（1）银纳米线溶液的稀释；（2）氧化石墨烯溶液的制备；（3）不同长度银纳米线的制备。本发明通过加入氧化石墨烯溶液，防止银纳米线直接短路，银纳米线的最大可能长度，可以通过改变步骤（3）中交流电压的大小及通电时间来调控。
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