公开(公告)号：CN109504939A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811555665.3

申请日：2018-12-19

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘芳洋 ,  吴杰 ,  韩璐 ,  曾溢宇 ,  孙振 ,  陈佳 ,  蒋良兴 ,  贾明 ,  刘业翔

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开一种硫化锑薄膜的制备方法，其中，制备硫化锑薄膜的原料为只经过简单筛选的辉锑矿物。本发明利用辉锑矿物中硫化锑与其他杂质的熔点差异，结合管式退火炉镀膜及退火一步处理，制备具有可以与以高纯硫化锑(≥99.999％)作为原料所制得的薄膜相媲美的薄膜。在制备硫化锑薄膜过程中，本发明在于既可避免制备高纯硫化锑原材料过程中所产生的环境污染问题，也可解决辉锑矿制备硫化锑薄膜时存在杂质和少硫的问题，且工艺流程简单高效，大大降低制备成本，稳定可靠，应用范围广泛，适用于绝大部分需要镀膜硫化锑的基底，是一种节能、高效、绿色、环保的方法。

公开(公告)号：CN109504939B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201811555665.3

申请日：2018-12-19

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘芳洋 ,  吴杰 ,  韩璐 ,  曾溢宇 ,  孙振 ,  陈佳 ,  蒋良兴 ,  贾明 ,  刘业翔

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开一种硫化锑薄膜的制备方法，其中，制备硫化锑薄膜的原料为只经过简单筛选的辉锑矿物。本发明利用辉锑矿物中硫化锑与其他杂质的熔点差异，结合管式退火炉镀膜及退火一步处理，制备具有可以与以高纯硫化锑(≥99.999％)作为原料所制得的薄膜相媲美的薄膜。在制备硫化锑薄膜过程中，本发明在于既可避免制备高纯硫化锑原材料过程中所产生的环境污染问题，也可解决辉锑矿制备硫化锑薄膜时存在杂质和少硫的问题，且工艺流程简单高效，大大降低制备成本，稳定可靠，应用范围广泛，适用于绝大部分需要镀膜硫化锑的基底，是一种节能、高效、绿色、环保的方法。