一种降低铍材残余应力的方法

    公开(公告)号:CN113649573A

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN202110834056.7

    申请日:2021-07-23

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明涉及一种降低铍材残余应力的方法,属于粉末冶金材料加工领域。本发明通过对铍材采用拉应力时效处理和N级变温冷热循环稳定处理,实现铍材残余应力的下降,所述N大于等于2,所述冷热循环稳定处理时,冷却的温度低于1℃,加热处理的温度大于等于100℃且小于铍材的熔点,相邻两次冷处理的温度不同,和/或相邻两次热处理的温度不同。本发明操作简便,成本较低,工艺简单,应用本发明优化技术得到的铍材残余应力下降至‑50~50MPa、室温放置一年尺寸变化小于0.002%。

    一种含有TaB扩散障层的新型钽基Si-Mo-ZrB2复合涂层及其三步制备法

    公开(公告)号:CN114107888B

    公开(公告)日:2023-01-24

    申请号:CN202111376119.5

    申请日:2021-11-19

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明一种含有TaB扩散障层的新型Si‑Mo‑ZrB2复合涂层及其制备方法;属于超高温抗氧化涂层制备技术领域。本发明以钽及钽合金为基体,首先采用渗硼法在其表面制备硼化物扩散障层,随后在预制硼化物层坯体表面采用料浆喷涂烧结法制备Si‑Mo‑ZrB2复合涂层;最后采用卤化物包埋渗硅法提高涂层硅化物主体相含量。本发明通过三步法合理调控制备工艺,优化涂层成分,成功在基体与涂层主体之间预制了TaB扩散障层,有效阻止了涂层主体相的硅元素向基体扩散消耗,有效提高钽及钽合金超高温抗氧化性能,本发明制备工艺简单、生产成本低,所得涂层致密均匀,可在1700℃及以上的高温有氧环境下长时间稳定服役。

    一种提高精密仪器仪表用高纯铍材尺寸稳定性的方法

    公开(公告)号:CN113649574A

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN202110933795.1

    申请日:2021-08-15

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 一种提高精密仪器仪表用高纯铍材尺寸稳定性的方法,对等静压高纯铍材进行多级时效处理,包括:将等静压高纯铍材加热至100~200℃,保温60~180min,然后使等静压高纯铍材随炉冷却至室温;加热至300~400℃,保温10~30min;再加热至700~900℃,保温30~300min;然后随炉冷却至300~400℃,保温10~30min,最后使等静压高纯铍材随炉冷却至室温;多级时效处理过程中对等静压高纯铍材施加波长0.05~0.20nm,管电压20~50kV,管电流1~10mA的X射线辐照。本发明可得到空位与位错缺陷少、杂质元素与杂质相稳定、残余应力小、尺寸稳定性极高的高纯铍材。

    一种降低铍材残余应力的方法

    公开(公告)号:CN113649573B

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202110834056.7

    申请日:2021-07-23

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明涉及一种降低铍材残余应力的方法,属于粉末冶金材料加工领域。本发明通过对铍材采用拉应力时效处理和N级变温冷热循环稳定处理,实现铍材残余应力的下降,所述N大于等于2,所述冷热循环稳定处理时,冷却的温度低于1℃,加热处理的温度大于等于100℃且小于铍材的熔点,相邻两次冷处理的温度不同,和/或相邻两次热处理的温度不同。本发明操作简便,成本较低,工艺简单,应用本发明优化技术得到的铍材残余应力下降至‑50~50MPa、室温放置一年尺寸变化小于0.002%。

    一种提高精密仪器仪表用高纯铍材尺寸稳定性的方法

    公开(公告)号:CN113649574B

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202110933795.1

    申请日:2021-08-15

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 一种提高精密仪器仪表用高纯铍材尺寸稳定性的方法,对等静压高纯铍材进行多级时效处理,包括:将等静压高纯铍材加热至100~200℃,保温60~180min,然后使等静压高纯铍材随炉冷却至室温;加热至300~400℃,保温10~30min;再加热至700~900℃,保温30~300min;然后随炉冷却至300~400℃,保温10~30min,最后使等静压高纯铍材随炉冷却至室温;多级时效处理过程中对等静压高纯铍材施加波长0.05~0.20nm,管电压20~50kV,管电流1~10mA的X射线辐照。本发明可得到空位与位错缺陷少、杂质元素与杂质相稳定、残余应力小、尺寸稳定性极高的高纯铍材。

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