公开(公告)号：CN105399077A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510900409.3

申请日：2015-12-09

Applicant: 中南大学

Inventor： 粱伊丽 ,  伍小波 ,  谢志勇 ,  黄启忠 ,  谢吉 ,  杨凯 ,  左振名 ,  高平平

IPC: C01B31/02 ,  C01B31/04

CPC classification number: C01P2004/80

Abstract: 本发明公开了一种在物理场下原子掺杂碳材料的制备方法，在原子掺杂处理之前，以一定比例的Ar/N2/NH3混合气体为等离子气体通过电感耦合产生较大的感应电压，使等离子体气体放电产生等离子体对预掺杂的碳材料碰撞，放电等离子放电处理时间为10秒～30分钟，沉积炉内压力为0.2～200pa，从而使得其表面碳六元环结构产生缺陷，便于N,S,B,P,O等其它原子掺入并与碳原子形成双键。本发明改变碳材料的电子结构，提高的自由载流子密度，从而提高掺杂率。