公开(公告)号：CN110591690A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910893665.2

申请日：2019-09-20

Applicant: 中南大学

Inventor： 王珊 ,  胡欣 ,  王颖 ,  江仁庭 ,  贾国萍 ,  竺敏 ,  宋雨茜 ,  胡敦

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/59 ,  C09K11/06 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N21/64 ,  A61K49/00 ,  A61K41/00 ,  A61K47/52 ,  A61K31/704 ,  A61P35/00

Abstract: 本发明公开了一种可表面化学修饰的疏水性硅量子点，该疏水性硅量子点的表面含有羟基和氨基。该疏水性硅量子点的制备方法，包括如下步骤：将硅源、丹宁酸溶于超纯水中，搅拌反应，在得到的硅量子点溶液中加入无水乙醇，再加入十八烷基三甲氧基硅烷进行反应，析出固体后过滤，冲洗烘干后即得。制备得到的硅量子点纯净度高，水溶性好，稳定性好，其表面可同时进行多种化学修饰，可络合多种金属离子，具有疏水性，室温下长期放置不会变质，具有良好的抗肿瘤活性。制备方法对温度要求低，易于控制，反应效率高，制备简单，原料易得，成本低廉，易于实现工业化生产。本发明还公开了该疏水性硅量子点在生物成像领域和抗癌药物制备领域中的应用。

公开(公告)号：CN110591690B

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN201910893665.2

申请日：2019-09-20

Applicant: 中南大学

Inventor： 王珊 ,  胡欣 ,  王颖 ,  江仁庭 ,  贾国萍 ,  竺敏 ,  宋雨茜 ,  胡敦

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/59 ,  C09K11/06 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N21/64 ,  A61K49/00 ,  A61K41/00 ,  A61K47/52 ,  A61K31/704 ,  A61P35/00

Abstract: 本发明公开了一种可表面化学修饰的疏水性硅量子点，该疏水性硅量子点的表面含有羟基和氨基。该疏水性硅量子点的制备方法，包括如下步骤：将硅源、丹宁酸溶于超纯水中，搅拌反应，在得到的硅量子点溶液中加入无水乙醇，再加入十八烷基三甲氧基硅烷进行反应，析出固体后过滤，冲洗烘干后即得。制备得到的硅量子点纯净度高，水溶性好，稳定性好，其表面可同时进行多种化学修饰，可络合多种金属离子，具有疏水性，室温下长期放置不会变质，具有良好的抗肿瘤活性。制备方法对温度要求低，易于控制，反应效率高，制备简单，原料易得，成本低廉，易于实现工业化生产。本发明还公开了该疏水性硅量子点在生物成像领域和抗癌药物制备领域中的应用。