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公开(公告)号:CN119522023A
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN202411499302.8
申请日:2024-10-25
Applicant: 中南大学
IPC: H10N30/077 , H10N30/853
Abstract: 本发明公开了一种全柔性PZT薄膜的制备方法,包括:(1)在氟金云母基板上均匀沉积LSMO涂层,并使LSMO涂层结晶;(2)在结晶的LSMO涂层上旋涂若干层PZT薄膜层,获得PZT/LSMO/云母产品;(3)在PZT薄膜层上制备柔性支撑层;(4)将产品浸没在刻蚀液中,使LSMO涂层完全溶解,即得全柔性PZT薄膜。本发明还公开了一种全柔性PZT传感器的制备方法,包括:S1、设计叉指电极并在PET基板上打印出叉指电极;S2、将全柔性PZT薄膜转移至PET基板上,然后进行封装、极化,即得全柔性PZT传感器。本发明通过高性价比的转移策略在柔性的PET基板上获得了具有高性能、超灵敏特点的全柔性PZT传感器,不仅提高了钙钛矿结构薄膜优异的电学性能,还表现出了更高的机械柔韧性。