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公开(公告)号：CN109663584B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201811558781.0
申请日：2018-12-19
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了氧空位型金属氧化物半导体光催化剂的制备方法，步骤包括先将金属氧化物粉末与该金属氧化物的对应金属单质颗粒混匀，再于惰性气氛下烧结所得的混合物。本发明提供的氧空位型金属氧化物半导体光催化剂的制备方法，解决了现有技术中高温高压纯氢气还原法和置换反应法制备氧空位型金属氧化物半导体光催化剂时存在的问题，本发明的制备方法不会引入杂质元素，制备过程简单方便，安全可靠性高，采用本发明方法制备出的氧空位型半导体材料光电化学活性高于现有技术，本发明的制备方法，在制备氧空位时具有定量可控性，通过控制金属单质的质量分数即可得到不同含量氧空位的半导体催化剂。
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公开(公告)号：CN109663584A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811558781.0
申请日：2018-12-19
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了氧空位型金属氧化物半导体光催化剂的制备方法，步骤包括先将金属氧化物粉末与该金属氧化物的对应金属单质颗粒混匀，再于惰性气氛下烧结所得的混合物。本发明提供的氧空位型金属氧化物半导体光催化剂的制备方法，解决了现有技术中高温高压纯氢气还原法和置换反应法制备氧空位型金属氧化物半导体光催化剂时存在的问题，本发明的制备方法不会引入杂质元素，制备过程简单方便，安全可靠性高，采用本发明方法制备出的氧空位型半导体材料光电化学活性高于现有技术，本发明的制备方法，在制备氧空位时具有定量可控性，通过控制金属单质的质量分数即可得到不同含量氧空位的半导体催化剂。
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