公开(公告)号：CN103936075A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410158153.9

申请日：2014-04-18

Applicant: 中南大学

Inventor： 李洁 ,  陈启元 ,  侯武娇 ,  杨亚辉 ,  李文章

IPC: C01G41/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种高光电性能三氧化钨薄膜的制备方法，该方法是将钨酸盐溶于水配成钨酸盐溶液，再依次在所得钨酸盐溶液中加入盐酸和固体杂多酸，搅拌至无沉淀产生，形成前驱体混合液；在所得前驱体混合液中加入草酸铵作为结构导向剂，以FTO基底为载体，通过水热法在FTO基底上沉积三氧化钨晶体后，将沉积了三氧化钨的FTO基底进行煅烧，在FTO基底上制得三氧化钨薄膜；制备方法过程简单、操作便捷，制备的三氧化钨薄膜形貌良好、由单斜相三氧化钨纳米片构成，具有高光电性能，应用前景广泛。

公开(公告)号：CN103936075B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201410158153.9

申请日：2014-04-18

Applicant: 中南大学

Inventor： 李洁 ,  陈启元 ,  侯武娇 ,  杨亚辉 ,  李文章

IPC: C01G41/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种高光电性能三氧化钨薄膜的制备方法，该方法是将钨酸盐溶于水配成钨酸盐溶液，再依次在所得钨酸盐溶液中加入盐酸和固体杂多酸，搅拌至无沉淀产生，形成前驱体混合液；在所得前驱体混合液中加入草酸铵作为结构导向剂，以FTO基底为载体，通过水热法在FTO基底上沉积三氧化钨晶体后，将沉积了三氧化钨的FTO基底进行煅烧，在FTO基底上制得三氧化钨薄膜；制备方法过程简单、操作便捷，制备的三氧化钨薄膜形貌良好、由单斜相三氧化钨纳米片构成，具有高光电性能，应用前景广泛。