一种高居里点的高熵非晶磁环及其制备方法

    公开(公告)号:CN116815075A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310806101.7

    申请日:2023-07-03

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种高居里点的高熵非晶磁环的制备方法,所述高熵非晶磁环,按原子比计:Co 25~30%,Fe 25~30%,Ni 15~20%,Si 10~15%,B 10~15%。其制备方法,包括以下步骤:配置母合金,利用真空感应炉在一定温度和时间下反复多次熔炼,确保合金锭成分充分均匀,再利用单辊快淬法在非真空环境下制成非晶带材,将非晶带材卷制成磁环,通过普通热处理+纵向磁场热处理的分步热处理方式获得的非晶纳米晶磁环具有高矩形比、低矫顽力以及高饱和磁感应强度,适用于高剩磁比的开关、锁式器件、高频感应器、光伏互感器等领域。

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