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公开(公告)号:CN105883903A
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201410460652.3
申请日:2014-09-12
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种一维II?VI族半导体核壳纳米结构的制备方法,一维纳米结构主要为纳米线和纳米带。本发明采用磁力驱动的化学气相沉积法,以两种II?VI族非氧化物半导体粉末材料为原料,通入Ar/H2混合气作为载气,通过在密封石英管外的磁力驱动装置控制粉末原料和沉积基片位置和温度的方法制备出一维半导体沿径向排列的核壳异质结的纳米线/带。通过控制生长参数,包括生长温度和时间、沉积温度、载气流速和升温速率等条件来控制样品的尺寸与形貌。该实验方法设计合理、操作简单、可控性强,适用于多数II?VI族半导体沿径向排列形成核壳纳米线或核壳纳米带的制备。本发明方法制备的核壳纳米线/带在微型太阳能电池、纳米激光器等方面有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN118795335B
公开(公告)日:2025-01-17
申请号:CN202411293085.7
申请日:2024-09-14
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种应用于摩擦纳米发电机的多功能性能测试装备,包括测试台以及设置在测试台上的旋转模式测试组件、接触分离模式测试组件、往复滑动模式测试组件、旋转驱动组件,旋转模式测试组件、接触分离模式测试组件、往复滑动模式测试组件均通过同一个旋转驱动组件进行驱动;本发明在同一个旋转驱动组件的旋转输出下,能够同时实现旋转模式摩擦纳米发电机、接触分离模式摩擦纳米发电机、往复滑动模式摩擦纳米发电机的电性能测试,同时能够实现往复滑动模式摩擦纳米发电机的摩擦系数测试,提高了测试效率,降低了测试成本,能够保证测试的可靠性、准确性,也进一步提升了操作便捷性。
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公开(公告)号:CN114107944B
公开(公告)日:2022-12-27
申请号:CN202111076601.7
申请日:2021-09-14
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种类金字塔形CsPbBr3/苯并噻吩复合薄膜及其制备方法和应用,复合薄膜的基体由类金字塔形的CsPbBr3二次颗粒组成,类金字塔形的CsPbBr3二次颗粒由CsPbBr3一次颗粒堆叠而成,复合薄膜还包括苯并噻吩;制备方法包括如下步骤:(1)气相法制备由类金字塔形的CsPbBr3二次颗粒组成的CsPbBr3基体薄膜;(2)将苯并噻吩溶解在有机溶剂中;(3)在CsPbBr3基体薄膜上旋涂苯并噻吩有机溶液,得到类金字塔形CsPbBr3/苯并噻吩复合薄膜。本发明采用化学气相沉积法制备CsPbBr3,避免了溶液法的溶剂对CsPbBr3结晶的负面影响,通过优化生长、控制沉积温度对于CsPbBr3微结构调控和与有机半导体C8BTBT构建异质结来提升CsPbBr3光电子器件性能和稳定性。
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公开(公告)号:CN118795335A
公开(公告)日:2024-10-18
申请号:CN202411293085.7
申请日:2024-09-14
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种应用于摩擦纳米发电机的多功能性能测试装备,包括测试台以及设置在测试台上的旋转模式测试组件、接触分离模式测试组件、往复滑动模式测试组件、旋转驱动组件,旋转模式测试组件、接触分离模式测试组件、往复滑动模式测试组件均通过同一个旋转驱动组件进行驱动;本发明在同一个旋转驱动组件的旋转输出下,能够同时实现旋转模式摩擦纳米发电机、接触分离模式摩擦纳米发电机、往复滑动模式摩擦纳米发电机的电性能测试,同时能够实现往复滑动模式摩擦纳米发电机的摩擦系数测试,提高了测试效率,降低了测试成本,能够保证测试的可靠性、准确性,也进一步提升了操作便捷性。
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公开(公告)号:CN114107944A
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN202111076601.7
申请日:2021-09-14
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种类金字塔形CsPbBr3/苯并噻吩复合薄膜及其制备方法和应用,复合薄膜的基体由类金字塔形的CsPbBr3二次颗粒组成,类金字塔形的CsPbBr3二次颗粒由CsPbBr3一次颗粒堆叠而成,复合薄膜还包括苯并噻吩;制备方法包括如下步骤:(1)气相法制备由类金字塔形的CsPbBr3二次颗粒组成的CsPbBr3基体薄膜;(2)将苯并噻吩溶解在有机溶剂中;(3)在CsPbBr3基体薄膜上旋涂苯并噻吩有机溶液,得到类金字塔形CsPbBr3/苯并噻吩复合薄膜。本发明采用化学气相沉积法制备CsPbBr3,避免了溶液法的溶剂对CsPbBr3结晶的负面影响,通过优化生长、控制沉积温度对于CsPbBr3微结构调控和与有机半导体C8BTBT构建异质结来提升CsPbBr3光电子器件性能和稳定性。
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