公开(公告)号：CN102664222B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201210168938.5

申请日：2012-05-28

Applicant: 中华电信股份有限公司

Inventor： 蔡家龙 ,  柯孙坚 ,  徐仲凡

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/10

CPC classification number: H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明为一种共振腔发光二极体的制造方法，是利用改变共振腔发光二极体的制造程序，其晶粒制程中上布拉格反射镜层的制作是在晶粒固晶、打线键合等封装制程步骤完成后再进行，因此制程上可以解决传统以微影术在出光区域定义上反射镜时易发生的对位误差，进而改善共振腔发光二极体的操作特性。

公开(公告)号：CN102664222A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201210168938.5

申请日：2012-05-28

Applicant: 中华电信股份有限公司

Inventor： 蔡家龙 ,  柯孙坚 ,  徐仲凡

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/10

CPC classification number: H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明为一种共振腔发光二极体的制造方法，是利用改变共振腔发光二极体的制造程序，其晶粒制程中上布拉格反射镜层的制作是在晶粒固晶、打线键合等封装制程步骤完成后再进行，因此制程上可以解决传统以微影术在出光区域定义上反射镜时易发生的对位误差，进而改善共振腔发光二极体的操作特性。