公开(公告)号：CN114291784A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202110814293.7

申请日：2021-07-19

Applicant: 中北大学南通智能光机电研究院 ,  中北大学

Inventor： 王俊强 ,  张世义 ,  吴倩楠 ,  余建刚 ,  李孟委

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明涉及一种基于大马士革工艺的MEMS开关牺牲层的制备方法，包括步骤：S1、获取晶圆；S2、在晶圆的表面沉积牺牲层，牺牲层的材料包括半导体材料；S3、刻蚀牺牲层，在共面波导上形成通孔；S4、在通孔中电镀锚点材料，形成初始锚点；S5、对牺牲层和初始锚点进行抛光处理，形成目标锚点，目标锚点的表面与牺牲层表面平齐；S6、在牺牲层表面电镀上电极，使得上电极与目标锚点接触；S7、释放牺牲层，形成MEMS开关的悬臂梁。该制备方法将大马士革工艺引入到牺牲层的制备过程中，有效改善了MEMS牺牲层的平整度，提高了牺牲层的稳定性，降低了牺牲层的释放时间，提高了生产效率，适用于MEMS开关的量产工作。

公开(公告)号：CN112919405A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202110108281.2

申请日：2021-01-27

Applicant: 中北大学南通智能光机电研究院

Inventor： 王俊强 ,  曹钎龙 ,  李孟委 ,  吴倩楠 ,  余建刚

IPC: B81C1/00 ,  H01H49/00 ,  H01H59/00

Abstract: 本发明属于射频微电子机械系统封装技术领域，具体涉及一种RF MEMS开关的原位薄膜封装方法，包括下列步骤：提供一未释放牺牲层的RF MEMS开关晶圆，在衬底上完成信号线和悬臂梁的结构的制作；对晶圆进行第一次匀胶、光刻、显影工艺；在晶圆上沉积一层薄膜；对晶圆进行第二次匀胶、光刻工艺，并留出释放孔位置；对释放孔位置进行刻蚀工艺；进行氧气等离子体工艺；再次沉积一层薄膜。本发明通过在未释放晶圆上，通过两次匀胶、两次光刻、两次镀膜工艺实现开关的原位薄膜封装工艺，并且本发明采用氩气等离子实现释放孔的刻蚀，采用氧等离子体实现牺牲层的释放，能够保证开关的射频性能，同时提高开关的工作可靠性。本发明用于RF MEMS开关的原位薄膜封装。

公开(公告)号：CN113394059A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110502070.7

申请日：2021-05-08

Applicant: 中北大学南通智能光机电研究院

Inventor： 吴倩楠 ,  张世义 ,  王姗姗 ,  余建刚 ,  李孟委

IPC: H01H59/00

Abstract: 本发明涉及一种基于RF MEMS开关的多刀多掷开关，包括：衬底；设置在衬底上且级联的两个MEMS单刀多掷开关；MEMS单刀多掷开关包括若干信号线、地线、若干上电极、若干驱动电极、功分器和若干空气桥。该多刀多掷开关通过将两个MEMS单刀多掷开关级联，不仅可以减小器件的插入损耗，提高了器件的隔离度，减小了器件的尺寸，扩宽了器件的工作频率，而且可以实现多通道信号的选通功能。

公开(公告)号：CN113381139A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110426812.2

申请日：2021-04-20

Applicant: 中北大学南通智能光机电研究院

Inventor： 吴倩楠 ,  韩路路 ,  余建刚 ,  王姗姗 ,  李孟委

IPC: H01P1/10 ,  H01H59/00

Abstract: 本发明涉及一种K～D波段宽频射频MEMS开关，包括：衬底(1)、地线(2)、信号线(3)、上电极组件(4)、至少两个驱动电极(5)、至少两条驱动引线(6)和至少两个空气桥组件(7)，其中，所述信号线(3)为渐变型信号线，所述渐变型信号线的中间段信号线的宽度小于两端信号线的宽度。该开关由地线和信号线共同形成渐变型微波传输线结构，可以有效提高开关工作带宽，降低插入损耗，提高隔离度，使得开关在18GHz～184GHz的范围内，有着优越的射频性能，提高了开关的微波性能。