公开(公告)号：CN101266139A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810054908.5

申请日：2008-04-30

Applicant: 中北大学

Inventor： 薛晨阳 ,  张文栋 ,  熊继军 ,  刘俊 ,  刘文怡 ,  李明 ,  魏天杰

IPC: G01B11/24 ,  G01B11/30

Abstract: 本发明涉及微机电MEMS器件的微形貌测试，具体是一种基于红外白光干涉技术的微结构形貌测试方法，解决了现有测试技术无法对MEMS器件中深沟槽结构侧壁形貌进行测量的问题，以下列步骤实现：1)在待测侧壁表面进行阻止红外线透射的无损处理；2)以红外光源作为测量光源，红外光经透镜组调整为平行光束，经分光器件分成参考光束、检测光束，检测光束透射深沟槽结构的侧壁，经侧壁与无损处理的交界面反射后，与经参考镜面反射的参考光束相干迭加，形成干涉条纹图样；3)干涉条纹图样经光学透镜、CCD图像传感器传输至计算机，分析处理得所测侧壁的三维形貌图。本发明突破了现有测量技术无法实现深沟槽结构测量的缺点，应用领域广。