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公开(公告)号：CN115101658A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210751516.4
申请日：2022-06-29
Applicant: 中北大学
IPC: H01L41/113 , H01L41/22 , G01L1/16 , G01L9/08 , G06F30/20 , G06F111/14
Abstract: 本发明属于NEMS微压力敏传感设计领域，具体为基于挠曲电极化增强力电耦合机制的PZT基石墨烯复合压感薄膜结构，包括Si/SiO2基片，Si/SiO2基片上设有背腔，Si/SiO2基片正面溅射有pt/Ti的金属层，pt/Ti的金属层上面溅射有PZT铁电薄膜，PZT铁电薄膜上有石墨烯薄膜，石墨烯薄膜两边溅射有金属电极，Si/SiO2基片背面有封装基板。本发明通过PZT铁电薄膜弯曲产生的极化电压对石墨烯薄膜进行调控，施加偏压给石墨烯薄膜，通过电路的输出电流间接表征石墨烯载流子的输运情况，进而表征石墨烯薄膜能带的变化，完成对PZT挠曲电极化调控石墨烯能带结构及电输运机制的探究，完成对高灵敏度力电耦合PZT基石墨烯复合压感薄膜结构的设计。
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公开(公告)号：CN116337995A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310374459.7
申请日：2023-04-10
Applicant: 中北大学
IPC: G01N29/036 , B81B7/02
Abstract: 本申请实施例提供一种谐振式NO2气体传感结构，包括：栅极基底；绝缘层：设置于栅极基底上；电极层：设置于绝缘层上，主要由间隔位于绝缘层上的源极电极和漏极电极构成；沟道：设置于绝缘层上，且位于源极电极和漏极电极之间；石墨烯单层薄膜：设置于电极层上，且悬浮于沟道的上方；本申请中的气体传感结构，结构和制备工艺简单，制备成本低，功耗低，气体质量灵敏度高，兼容性强利于集成，能够实现批量化制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116143062B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310429155.6
申请日：2023-04-21
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于半导体器件加工制造技术领域，涉及压电振动传感器，具体为一种“H”型单晶薄膜压电振动传感器及其制备方法，通过在低温环境下实现LiNbO3晶片和双抛Si片的异质集成，利用电极掩膜版图案刻蚀LiNbO3形成沟道结构，随后通过光刻、显影、磁控溅射和剥离工艺完成电极制备，此后在键合片正面完成“H”型悬臂梁和质量块刻蚀，最后在键合片背面完成空腔刻蚀和器件释放。本发明在理论与计算的基础上，设计传感器固有频率为10888Hz和15328Hz，并通过仿真对振动传感器的可行性进行了验证，“H”型结构减小了器件振动过程的横向效应，提高了单轴振动的输出电荷信号精度，同时较高的固有频率拓宽了传感器的可用频段。
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公开(公告)号：CN116143062A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310429155.6
申请日：2023-04-21
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于半导体器件加工制造技术领域，涉及压电振动传感器，具体为一种“H”型单晶薄膜压电振动传感器及其制备方法，通过在低温环境下实现LiNbO3晶片和双抛Si片的异质集成，利用电极掩膜版图案刻蚀LiNbO3形成沟道结构，随后通过光刻、显影、磁控溅射和剥离工艺完成电极制备，此后在键合片正面完成“H”型悬臂梁和质量块刻蚀，最后在键合片背面完成空腔刻蚀和器件释放。本发明在理论与计算的基础上，设计传感器固有频率为10888Hz和15328Hz，并通过仿真对振动传感器的可行性进行了验证，“H”型结构减小了器件振动过程的横向效应，提高了单轴振动的输出电荷信号精度，同时较高的固有频率拓宽了传感器的可用频段。
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公开(公告)号：CN119133335A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411199556.8
申请日：2024-08-29
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于现代装备制造产业的红外显示领域，具体为基于CVD石墨烯的柔性红外显示面板。基于CVD石墨烯的柔性红外显示面板，包括柔性PCB板和石墨烯薄膜，柔性PCB板上预制有电极对，电极对按阵列排列形成电极矩阵，每对电极对都包括正电极和负电极，石墨烯薄膜覆盖于电极矩阵上，柔性PCB板上还预留有控制电极矩阵中电极对通断电的输入接口，输入接口分为正极接口和负极接口。本发明将石墨烯薄膜转移到柔性PCB板上制备柔性红外显示面板，面板可在0‑150°范围内自由/反复弯曲且显示特性保持稳定，还可实现发光面积可控，并且该柔性红外显示面板具有优良的低能耗表现。
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公开(公告)号：CN115655502B
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211700537.X
申请日：2022-12-29
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及石墨烯温度传感器，具体为基于悬浮石墨烯薄膜压阻特性的温度传感器，包括Si作为下基底、SiO2作为上基底的基片，基片上刻出有空腔，SiO2上空腔的两边溅射有金电极，溅射好金电极的基片上转移带有PMMA保护层的石墨烯薄膜，金电极上键合引线后基片封装。本发明通过使用空腔悬浮石墨烯薄膜结构，在提高石墨烯薄膜迁移率的同时对空腔内气体形成密封，该结构可将环境温度变化转化为石墨烯薄膜的形变，进而利用石墨烯薄膜的压阻效应将形变转化为结构的输出电阻变化，从而有效避免了传统的石墨烯热传感结构中利用石墨烯热阻效应进行传感所带来的不稳定性，有效提高了石墨烯MEMS传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN115655502A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211700537.X
申请日：2022-12-29
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及石墨烯温度传感器，具体为基于悬浮石墨烯薄膜压阻特性的温度传感器，包括Si作为下基底、SiO2作为上基底的基片，基片上刻出有空腔，SiO2上空腔的两边溅射有金电极，溅射好金电极的基片上转移带有PMMA保护层的石墨烯薄膜，金电极上键合引线后基片封装。本发明通过使用空腔悬浮石墨烯薄膜结构，在提高石墨烯薄膜迁移率的同时对空腔内气体形成密封，该结构可将环境温度变化转化为石墨烯薄膜的形变，进而利用石墨烯薄膜的压阻效应将形变转化为结构的输出电阻变化，从而有效避免了传统的石墨烯热传感结构中利用石墨烯热阻效应进行传感所带来的不稳定性，有效提高了石墨烯MEMS传感器的灵敏度。
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