公开(公告)号：CN103030097B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201210534097.5

申请日：2012-12-12

Applicant: 中北大学

Inventor： 唐军 ,  刘俊 ,  石云波 ,  薛晨阳 ,  张文栋 ,  翟超 ,  柴鹏兰 ,  温焕飞

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明涉及纳米结构的制备方法，具体为一种基于静电场自聚焦的圆片级低维纳米结构的制备方法，解决了现有有序低维纳米结构只能小面积制造、成本高、污染严重且与传统的MEMS加工工艺兼容性差的问题。基于静电场自聚焦的圆片级低维纳米结构的制备方法，包括如下步骤：传统光刻工艺制得低维纳米结构物理衬底模板；磁控溅射仪将合成的纳米颗粒沉积到圆片级硅片衬底上从而得到贵金属薄膜；剥离去掉光刻图形；退火。本发明突破了大面积自组装工艺中的技术难题，实现了零污染、低成本、耗材少的低维纳米结构圆片级大面积加工；可广泛适用于微纳电子、光电子、生物化学传感器等各个领域。

公开(公告)号：CN102765695A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201210275973.7

申请日：2012-08-06

Applicant: 中北大学

Inventor： 刘俊 ,  唐军 ,  石云波 ,  薛晨阳 ,  张文栋 ,  柴鹏兰 ,  翟超 ,  温焕飞

IPC: B81C1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及低维纳米结构的制备方法，解决了现有有序低维纳米结构只能小面积制造且成本高、污染严重的问题。基于静电场奇点自聚焦的圆片级低维纳米结构的制备方法包括如下步骤：首先在圆片级硅片衬底上通过光刻和刻蚀工艺得到低维纳米结构自组装物理衬底模板；然后将其放在磁控溅射仪目标靶上，合成的贵金属纳米颗粒自动沉积到尖端结构上得到贵金属薄膜；最后进行退火工艺。本发明所述的制备方法利用合成的纳米颗粒，依托传统的MEMS加工工艺制备，得到了低成本、零污染、圆片级大面积、高可靠性和高度有序的低维纳米材料结构；可广泛适用于有序低维纳米结构的大面积制造。

公开(公告)号：CN103030097A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210534097.5

申请日：2012-12-12

Applicant: 中北大学

Inventor： 唐军 ,  刘俊 ,  石云波 ,  薛晨阳 ,  张文栋 ,  翟超 ,  柴鹏兰 ,  温焕飞

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明涉及纳米结构的制备方法，具体为一种基于静电场自聚焦的圆片级低维纳米结构的制备方法，解决了现有有序低维纳米结构只能小面积制造、成本高、污染严重且与传统的MEMS加工工艺兼容性差的问题。基于静电场自聚焦的圆片级低维纳米结构的制备方法，包括如下步骤：传统光刻工艺制得低维纳米结构物理衬底模板；磁控溅射仪将合成的纳米颗粒沉积到圆片级硅片衬底上从而得到贵金属薄膜；剥离去掉光刻图形；退火。本发明突破了大面积自组装工艺中的技术难题，实现了零污染、低成本、耗材少的低维纳米结构圆片级大面积加工；可广泛适用于微纳电子、光电子、生物化学传感器等各个领域。

公开(公告)号：CN102765695B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201210275973.7

申请日：2012-08-06

Applicant: 中北大学

Inventor： 刘俊 ,  唐军 ,  石云波 ,  薛晨阳 ,  张文栋 ,  柴鹏兰 ,  翟超 ,  温焕飞

IPC: B81C1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及低维纳米结构的制备方法，解决了现有有序低维纳米结构只能小面积制造且成本高、污染严重的问题。基于静电场奇点自聚焦的圆片级低维纳米结构的制备方法包括如下步骤：首先在圆片级硅片衬底上通过光刻和刻蚀工艺得到低维纳米结构自组装物理衬底模板；然后将其放在磁控溅射仪目标靶上，合成的贵金属纳米颗粒自动沉积到尖端结构上得到贵金属薄膜；最后进行退火工艺。本发明所述的制备方法利用合成的纳米颗粒，依托传统的MEMS加工工艺制备，得到了低成本、零污染、圆片级大面积、高可靠性和高度有序的低维纳米材料结构；可广泛适用于有序低维纳米结构的大面积制造。