公开(公告)号：CN103869504A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201410123884.X

申请日：2014-03-31

Applicant: 中北大学

Inventor： 张文栋 ,  薛晨阳 ,  王永华 ,  熊继军 ,  刘俊 ,  韦丽萍 ,  崔丹凤 ,  王永存

IPC: G02F1/035

Abstract: 本发明为一种基于硅基光波导微环谐振腔的双层石墨烯电光调制器的制备方法。首先进行光波导微环谐振腔的仿真与设计，选出Q值较高的设计并进行工艺流片，然后取已有的SOI片进行光波导微环谐振腔的工艺制备，接着在制备好的光波导微环谐振腔上生长两层石墨烯和一层Al2O3-，最后引两个对称分布的电极即可。本发明方法能提供很强的石墨烯与光的相互作用，提供高强度的光电转换；由于石墨烯对光的吸收与光的波长无关，所以可以进行宽频操控；同时石墨烯在室温下的载流子迁移率极高，通过施加外电场可以使调制时间降至皮秒级别，再加上它能与CMOS工艺相兼容，这对以后集成光学芯片的微型化、高速化以及低功耗具有重大意义。

公开(公告)号：CN103594378B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310593276.0

申请日：2013-11-23

Applicant: 中北大学

Inventor： 张文栋 ,  薛晨阳 ,  王永存 ,  熊继军 ,  刘俊 ,  刘耀英 ,  高立波 ,  王永华

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明为一种凹槽结构的悬空石墨烯沟道晶体管的制备方法，解决了石墨烯沟道与衬底和栅介质层直接接触带来的性能降低的问题。本发明方法在衬底上形成凹槽结构，在凹槽底部制作栅电极和栅介质，然后转移石墨烯薄膜至衬底上以覆盖凹槽，且在石墨烯薄膜两侧制作源、漏极，石墨烯薄膜和栅介质之间形成悬空的石墨烯沟道，避免了石墨烯沟道与衬底、栅介质直接接触。通过悬空的石墨烯沟道，避免衬底和栅介质层对石墨烯基本特性的影响，进一步提高了石墨烯晶体管的性能。

公开(公告)号：CN103594378A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310593276.0

申请日：2013-11-23

Applicant: 中北大学

Inventor： 张文栋 ,  薛晨阳 ,  王永存 ,  熊继军 ,  刘俊 ,  刘耀英 ,  高立波 ,  王永华

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1033 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66568

Abstract: 本发明为一种凹槽结构的悬空石墨烯沟道晶体管的制备方法，解决了石墨烯沟道与衬底和栅介质层直接接触带来的性能降低的问题。本发明方法在衬底上形成凹槽结构，在凹槽底部制作栅电极和栅介质，然后转移石墨烯薄膜至衬底上以覆盖凹槽，且在石墨烯薄膜两侧制作源、漏极，石墨烯薄膜和栅介质之间形成悬空的石墨烯沟道，避免了石墨烯沟道与衬底、栅介质直接接触。通过悬空的石墨烯沟道，避免衬底和栅介质层对石墨烯基本特性的影响，进一步提高了石墨烯晶体管的性能。

公开(公告)号：CN103869504B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201410123884.X

申请日：2014-03-31

Applicant: 中北大学

Inventor： 张文栋 ,  薛晨阳 ,  王永华 ,  熊继军 ,  刘俊 ,  韦丽萍 ,  崔丹凤 ,  王永存

IPC: G02F1/035

Abstract: 本发明为一种基于硅基光波导微环谐振腔的双层石墨烯电光调制器的制备方法。首先进行光波导微环谐振腔的仿真与设计，选出Q值较高的设计并进行工艺流片，然后取已有的SOI片进行光波导微环谐振腔的工艺制备，接着在制备好的光波导微环谐振腔上生长两层石墨烯和一层Al2O3­，最后引两个对称分布的电极即可。本发明方法能提供很强的石墨烯与光的相互作用，提供高强度的光电转换；由于石墨烯对光的吸收与光的波长无关，所以可以进行宽频操控；同时石墨烯在室温下的载流子迁移率极高，通过施加外电场可以使调制时间降至皮秒级别，再加上它能与CMOS工艺相兼容，这对以后集成光学芯片的微型化、高速化以及低功耗具有重大意义。