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公开(公告)号：CN1673723A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510012466.4
申请日：2005-04-18
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及微机电系统的动态特性测试方法，具体为微机电系统的动态应力测试方法。本发明解决现有技术尚无测试微机电系统动态应力测试方法的问题。该方法包含激光照射动态样品、样品产生拉曼散射、输出拉曼光谱、分析拉曼光谱的拉曼测试过程，将照射激光调制成与被测样品动态振动频率相同的激光脉冲。本发明首次将拉曼测试原理用于微机电系统动态应力的测试，并通过对激光的高频调制使拉曼测试用于微机电系统的动态应力测试成为现实，从而给出了一种基于拉曼光谱的非接触式无损测试微机电系统动态应力的方法，添补了微机电系统动态应力测试的空白。
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公开(公告)号：CN100437051C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510012815.2
申请日：2005-09-12
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及传感器，特别涉及声传感器，具体为一种共振隧穿微声传感器。本发明解决现有硅压阻式声传感器的压敏电阻都是掺杂多晶硅，其灵敏度较低，温度稳定性较差，无法满足现代测试技术的高精度要求的问题，利用了超晶格量子阱薄膜具有压阻效应的特性。本发明在超晶格薄膜上加工出共振隧穿压敏电阻，将超晶格薄膜的衬底加工成内凹谐振腔的传力结构，并使四块共振隧穿压敏电阻位于内凹谐振腔的边缘。共振隧穿微声传感器是全部采用MEMS工艺加工制作的量子器件，因具有量子效应、表面效应和尺寸效应，而表现出高灵敏度，低功耗、微体积、低功耗和易数字化、环境适应性强、成本低等特点，可适用于各种高灵敏度声学探测领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1746638A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510012815.2
申请日：2005-09-12
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及传感器，特别涉及声传感器，具体为一种共振隧穿微声传感器。本发明解决现有硅压阻式声传感器的压敏电阻都是掺杂多晶硅，其灵敏度较低，温度稳定性较差，无法满足现代测试技术的高精度要求的问题，利用了超晶格量子阱薄膜具有压阻效应的特性。本发明在超晶格薄膜上加工出共振隧穿压敏电阻，将超晶格薄膜的衬底加工成内凹谐振腔的传力结构，并使四块共振隧穿压敏电阻位于内凹谐振腔的边缘。共振隧穿微声传感器是全部采用MEMS工艺加工制作的量子器件，因具有量子效应、表面效应和尺寸效应，而表现出高灵敏度，低功耗、微体积、低功耗和易数字化、环境适应性强、成本低等特点，可适用于各种高灵敏度声学探测领域。
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公开(公告)号：CN1673723B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200510012466.4
申请日：2005-04-18
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及微机电系统的动态特性测试方法，具体为微机电系统的动态应力测试方法。本发明解决现有技术尚无测试微机电系统动态应力测试方法的问题。该方法包含激光照射动态样品、样品产生拉曼散射、输出拉曼光谱、分析拉曼光谱的拉曼测试过程，将照射激光调制成与被测样品动态振动频率相同的激光脉冲。本发明首次将拉曼测试原理用于微机电系统动态应力的测试，并通过对激光的高频调制使拉曼测试用于微机电系统的动态应力测试成为现实，从而给出了一种基于拉曼光谱的非接触式无损测试微机电系统动态应力的方法，添补了微机电系统动态应力测试的空白。
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公开(公告)号：CN100363743C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200510012814.8
申请日：2005-09-12
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及微加速度计，具体为一种共振隧穿压阻式微加速度计。本发明解决现有的硅压阻式加速度计灵敏度较低，温度稳定性较差，很难测量高g(重力加速度)值加速度，无法满足现代测试技术的高精度要求的问题，利用了超晶格量子阱薄膜具有压阻效应的特性。本发明在超晶格薄膜上加工出共振隧穿压敏电阻，将超晶格薄膜的衬底加工成外围基座、与基座相连的“十”字形悬臂梁和四周与悬臂梁相连的质量块的传力结构，并使四块共振隧穿压敏电阻位于悬臂梁与基座的连接处。共振隧穿压阻式微加速度计是全部采用MEMS工艺加工制作的量子器件。因具有量子效应、表面效应和尺寸效应，而表现出高灵敏度，低功耗、微体积、低功耗和易数字化等特点。
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公开(公告)号：CN1752757A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510012814.8
申请日：2005-09-12
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及微加速度计，具体为一种共振隧穿压阻式微加速度计。本发明解决现有的硅压阻式加速度计灵敏度较低，温度稳定性较差，很难测量高g(重力加速度)值加速度，无法满足现代测试技术的高精度要求的问题，利用了超晶格量子阱薄膜具有压阻效应的特性。本发明在超晶格薄膜上加工出共振隧穿压敏电阻，将超晶格薄膜的衬底加工成外围基座、与基座相连的“十”字形悬臂梁和四周与悬臂梁相连的质量块的传力结构，并使四块共振隧穿压敏电阻位于悬臂梁与基座的连接处。共振隧穿压阻式微加速度计是全部采用MEMS工艺加工制作的量子器件。因具有量子效应、表面效应和尺寸效应，而表现出高灵敏度，低功耗、微体积、低功耗和易数字化等特点。
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公开(公告)号：CN1696047A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510012471.5
申请日：2005-04-20
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明为微机电系统残余应力表面分布测试方法，涉及微机电系统的一种参量测试方法。本发明解决拉曼光谱单点、离散测试样品残余应力，激光聚焦尺寸过大、以点代面所造成的局域表面残余应力测试精度极低的问题，以及进一步的对样品局域表面上某一截面下的应力分布梯度无法测量的问题。该包含激光照射样品、样品产生拉曼散射、输出拉曼光谱、分析拉曼光谱的拉曼测试过程，激光的聚焦直径0.3－1μm，对被测局域表面先按直线逐点照射，再逐线照射。用不同波长的激光对被测局域表面先按直线逐点照射，再逐线照射。本发明所述测试方法极大地提高了样品残余应力的测试精度。同时，还可测试样品特定位置不同深度的残余应力梯度变化情况。
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