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公开(公告)号：CN116177483B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310444369.0
申请日：2023-04-24
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，涉及MEMS材料制备，具体为一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控纳米级逻辑门的方法，LN/SiO2/Cr/LN的铌酸锂键合片上，在Single Frequency PFM模式下将针尖输出电压调整为交流电压，利用两次交流极化调控成约90°夹角畴结构，制备“钩型”电畴结构，并基于此设计逻辑“非门”、“或非门”、“与非门”。本发明基于交流电畴调控中出现的两种不同倾角的特性，制备倾角约为90°的“钩型”畴结构，利用纳米级带电畴壁高开关比特性，有效解决了传统的逻辑器件尺寸大、功耗高等问题，制得产物不惧各种恶劣环境，功耗低、开关比高、重复性强，具有稳定性、低能耗、可重复等优点。
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公开(公告)号：CN116177483A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310444369.0
申请日：2023-04-24
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，涉及MEMS材料制备，具体为一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控纳米级逻辑门的方法，LN/SiO2/Cr/LN的铌酸锂键合片上，在Single Frequency PFM模式下将针尖输出电压调整为交流电压，利用两次交流极化调控成约90°夹角畴结构，制备“钩型”电畴结构，并基于此设计逻辑“非门”、“或非门”、“与非门”。本发明基于交流电畴调控中出现的两种不同倾角的特性，制备倾角约为90°的“钩型”畴结构，利用纳米级带电畴壁高开关比特性，有效解决了传统的逻辑器件尺寸大、功耗高等问题，制得产物不惧各种恶劣环境，功耗低、开关比高、重复性强，具有稳定性、低能耗、可重复等优点。
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公开(公告)号：CN116121067A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310248903.0
申请日：2023-03-15
Applicant: 中北大学
Abstract: 本申请提供了一种基于声流控的微粒细胞连续分离装置及其制备方法，通过在微流道层设置鞘液流道和溶液流道，其中第一鞘液入口、第二鞘液入口与第一溶液出口之间设有第一液体汇集口，第三鞘液入口和第二溶液出口之间设有第二液体汇集口，并在基底上于第一液体汇集口处设有第一声表面波谐振器件，用于生物微粒溶液的初分选，基底上于第二液体汇集口处设有第二声表面波谐振器件，用于生物微粒溶液的精分选。本申请基于声流控的微粒细胞连续分离装置可实现一次性连续分离和高精度分选，有助于解决生物分子的低成本、可控制、高纯度的分选难题，为实现多种不同粒径混合粒子的连续精准分离提供一种新的解决方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116171095B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310436129.6
申请日：2023-04-23
Applicant: 中北大学
IPC: H10N30/045 , H10N30/853 , B82Y40/00 , B82Y15/00
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，涉及MEMS制备工艺，具体为一种基于铌酸锂单晶薄膜可控交流极化纳米畴调控方法，在铌酸锂单晶表面进行离子注入后溅射一层金属，将其与具有二氧化硅绝缘层的铌酸锂衬底直接键合，接着在退火后剥离损伤层得到单晶铌酸锂薄膜，并利用减薄、抛光等工艺制备光学级的铌酸锂薄膜，最后在制备好的单晶铌酸锂薄膜表面利用Single Frequency PFM模式，将针尖输出电压改为交流电压后在Litho模式下实现纳米电畴的精准调控。本发明基于铌酸锂畴壁倾角单一特性，利用PFM输出交流电压调控纳米级畴结构设计方法，有效解决传统纳米级电畴在制备时出现难调控、不易保持以及高密度畴壁无法精准调控等问题。
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公开(公告)号：CN116230811A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310478329.8
申请日：2023-04-28
Applicant: 中北大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/113 , B82Y40/00 , G16C60/00 , G06F30/20 , G06F111/14
Abstract: 本发明属于半导体器件加工制造技术领域，具体为一种基于铁电半导体材料的光电响应突触器件制备方法，通过机械剥离制备二维α‑In2Se3纳米片，采用光刻工艺在重掺杂氧化硅片的单面抛光侧表面进行对准标记并完成金属电极的溅射，使用剥离工艺，实现金属电极图形化。将二维α‑In2Se3纳米片转移到重掺杂氧化硅片的单面抛光侧表面极间缝隙处，采用湿法转移石墨烯覆盖于α‑In2Se3纳米片表面，最后使用ALD在器件表面生成Al2O3薄膜层完成封装。本发明提供的基于铁电半导体材料的光电响应突触器件通过光刺激对载流子调节实现α‑In2Se3沟道层的电导控制，制得的器件具有低功耗、低延时、结构简单和感存算一体等优点。
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公开(公告)号：CN116230811B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310478329.8
申请日：2023-04-28
Applicant: 中北大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/113 , B82Y40/00 , G16C60/00 , G06F30/20 , G06F111/14
Abstract: 本发明属于半导体器件加工制造技术领域，具体为一种基于铁电半导体材料的光电响应突触器件制备方法，通过机械剥离制备二维α‑In2Se3纳米片，采用光刻工艺在重掺杂氧化硅片的单面抛光侧表面进行对准标记并完成金属电极的溅射，使用剥离工艺，实现金属电极图形化。将二维α‑In2Se3纳米片转移到重掺杂氧化硅片的单面抛光侧表面极间缝隙处，采用湿法转移石墨烯覆盖于α‑In2Se3纳米片表面，最后使用ALD在器件表面生成Al2O3薄膜层完成封装。本发明提供的基于铁电半导体材料的光电响应突触器件通过光刺激对载流子调节实现α‑In2Se3沟道层的电导控制，制得的器件具有低功耗、低延时、结构简单和感存算一体等优点。
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公开(公告)号：CN116371484A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310236128.7
申请日：2023-03-13
Applicant: 中北大学
IPC: B01L3/00
Abstract: 本申请提供了一种基于声流控的微量生物分子富集装置及其制备方法，在微流道层设有若干个液体流道，每个液体流道的两端分别设有液体入口和液体出口，液体流道设有连通相邻液体流道的液体汇集口，并在基底位于液体流道的第一侧且对应液体汇集口处设有第一声表面波器件，使液体进入微液滴分离生成界面，从而被水滴包裹，微量分子被收集；基底位于液体流道的第二侧对应液体汇集口的下游位置设有第二声表面波器件，液滴被声场捕获，随着周围流场的推动，最终液滴发生破裂，液滴前端随流体流出，包含微粒分子的液滴末端继续被束缚停留在声场中，实现生物分子的富集与清洗为实现生物分子的高灵敏度检测与诊断提供了一种解决方案。
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公开(公告)号：CN116171095A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310436129.6
申请日：2023-04-23
Applicant: 中北大学
IPC: H10N30/045 , H10N30/853 , B82Y40/00 , B82Y15/00
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，涉及MEMS制备工艺，具体为一种基于铌酸锂单晶薄膜可控交流极化纳米畴调控方法，在铌酸锂单晶表面进行离子注入后溅射一层金属，将其与具有二氧化硅绝缘层的铌酸锂衬底直接键合，接着在退火后剥离损伤层得到单晶铌酸锂薄膜，并利用减薄、抛光等工艺制备光学级的铌酸锂薄膜，最后在制备好的单晶铌酸锂薄膜表面利用Single Frequency PFM模式，将针尖输出电压改为交流电压后在Litho模式下实现纳米电畴的精准调控。本发明基于铌酸锂畴壁倾角单一特性，利用PFM输出交流电压调控纳米级畴结构设计方法，有效解决传统纳米级电畴在制备时出现难调控、不易保持以及高密度畴壁无法精准调控等问题。
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