超高温无源薄膜温度传感器及其制作方法

    公开(公告)号:CN107421654A

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201710187106.0

    申请日:2017-03-27

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明属于温度传感器技术领域,为解决现有温度传感器无法准确测量超高温环境下的温度参数的技术问题,提供了一种超高温无源薄膜温度传感器及其制作方法,包括介质基底和平面螺旋电感,平面螺旋电感位于介质基底的一侧,平面螺旋电感存在寄生电容,平面螺旋电感与寄生电容形成一个LC谐振回路。本发明传感器利用LC谐振原理无线方式获得信号,同时将铂金属印制于高纯度氧化铝陶瓷基底上,极大的扩展了高温下温度的测试范围,本发明无需外加电源、能远距离非接触式遥测读取信号,能满足高温恶劣环境及密闭环境下的温度测量,而且本发明传感器比传统的LC传感器结构简单,更容易制备,降低了制造成本低。

    超高温无源薄膜温度传感器及其制作方法

    公开(公告)号:CN107421654B

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201710187106.0

    申请日:2017-03-27

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明属于温度传感器技术领域,为解决现有温度传感器无法准确测量超高温环境下的温度参数的技术问题,提供了一种超高温无源薄膜温度传感器及其制作方法,包括介质基底和平面螺旋电感,平面螺旋电感位于介质基底的一侧,平面螺旋电感存在寄生电容,平面螺旋电感与寄生电容形成一个LC谐振回路。本发明传感器利用LC谐振原理无线方式获得信号,同时将铂金属印制于高纯度氧化铝陶瓷基底上,极大的扩展了高温下温度的测试范围,本发明无需外加电源、能远距离非接触式遥测读取信号,能满足高温恶劣环境及密闭环境下的温度测量,而且本发明传感器比传统的LC传感器结构简单,更容易制备,降低了制造成本低。

    流体增强介电泳单细胞排列与控制芯片及其制作方法

    公开(公告)号:CN107118938B

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201710223941.5

    申请日:2017-04-07

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明属于生物微流控芯片技术领域,为解决现有的单细胞分析用芯片可靠性低、成本高及不易释放单细胞的技术问题,提供了一种流体增强介电泳单细胞排列与控制芯片及其制作方法,芯片整体为三明治式结构,从上至下依次为导管接头、上基底、上层微电极、微通道、微墙阵列、下层微电极和下基底,上基底上设置有两个便于实验缓冲液进样与出样的通孔,导管接头固定在上基底上表面的通孔处,上层微电极和下层微电极均为叉指电极,上层微电极与下层微电极垂直相交设置,微墙阵列为微米级的圆形深孔,每个微墙位于上层微电极与下层微电极交叉处的中心。本发明解决了现有芯片原理单一产生的效率低、可靠性低、成本高且不易释放单细胞的问题。

    流体增强介电泳单细胞排列与控制芯片及其制作方法

    公开(公告)号:CN107118938A

    公开(公告)日:2017-09-01

    申请号:CN201710223941.5

    申请日:2017-04-07

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明属于生物微流控芯片技术领域,为解决现有的单细胞分析用芯片可靠性低、成本高及不易释放单细胞的技术问题,提供了一种流体增强介电泳单细胞排列与控制芯片及其制作方法,芯片整体为三明治式结构,从上至下依次为导管接头、上基底、上层微电极、微通道、微墙阵列、下层微电极和下基底,上基底上设置有两个便于实验缓冲液进样与出样的通孔,导管接头固定在上基底上表面的通孔处,上层微电极和下层微电极均为叉指电极,上层微电极与下层微电极垂直相交设置,微墙阵列为微米级的圆形深孔,每个微墙位于上层微电极与下层微电极交叉处的中心。本发明解决了现有芯片原理单一产生的效率低、可靠性低、成本高且不易释放单细胞的问题。

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