公开(公告)号：CN101806585B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010142646.5

申请日：2010-04-09

Applicant: 中北大学

Inventor： 薛晨阳 ,  丑修建 ,  张文栋 ,  熊继军 ,  刘俊 ,  牛康康 ,  刘毅 ,  刘君

IPC: G01B11/24

Abstract: 本发明涉及MEMS器件的形貌测试，具体是一种基于红外光干涉技术的MEMS器件形貌测量方法。解决了以现有红外光干涉技术测量MEMS器件结构形貌存在的操作不易、测量误差较大等问题，基于红外光干涉技术的MEMS器件形貌测量方法，以下列步骤实现：1)对待测MEMS器件进行测量前准备；2)应用干涉仪对待测MEMS器件进行测量，在参考光路的光学透镜前设置与待测MEMS器件同材质的半导体晶片。所述方法合理，操作方便，能高精度体现MEMS器件微结构的形貌状况，利于MEMS器件的质量评定，为改进MEMS器件加工工艺、过程提供依据，促进MEMS器件质量和使用性能的提高。适用于基于半导体材料的MEMS器件内部形貌重构、键合样品键合界面粗糙度评估、MEMS工艺实时在线检测等领域。

公开(公告)号：CN101806585A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN201010142646.5

申请日：2010-04-09

Applicant: 中北大学

Inventor： 薛晨阳 ,  丑修建 ,  张文栋 ,  熊继军 ,  刘俊 ,  牛康康 ,  刘毅 ,  刘君

IPC: G01B11/24

Abstract: 本发明涉及MEMS器件的形貌测试，具体是一种基于红外光干涉技术的MEMS器件形貌测量方法。解决了以现有红外光干涉技术测量MEMS器件结构形貌存在的操作不易、测量误差较大等问题，基于红外光干涉技术的MEMS器件形貌测量方法，以下列步骤实现：1)对待测MEMS器件进行测量前准备；2)应用干涉仪对待测MEMS器件进行测量，在参考光路的光学透镜前设置与待测MEMS器件同材质的半导体晶片。所述方法合理，操作方便，能高精度体现MEMS器件微结构的形貌状况，利于MEMS器件的质量评定，为改进MEMS器件加工工艺、过程提供依据，促进MEMS器件质量和使用性能的提高。适用于基于半导体材料的MEMS器件内部形貌重构、键合样品键合界面粗糙度评估、MEMS工艺实时在线检测等领域。