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公开(公告)号：CN112271249B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202011145590.9
申请日：2020-10-23
Applicant: 中北大学
IPC: H10N30/853 , H10N30/072 , H10N30/093
Abstract: 本申请公开了硅基/铁电单晶材料低温晶圆键合及薄膜化加工方法，包括：化学机械抛光原始基板与目标基板；第一次清洗后在原始基板磁控溅射Ti/Pt/Ti电极层；在原始基板上利用等离子体增强化学气相沉积法沉积氧化层；化学机械抛光原始基板表面氧化层；第二次清洗后在原始基板和目标基板上进行第一次等离子体活化；第三次清洗后在原始基板和目标基板上进行第二次等离子体活化；采用甲醇浸泡原始基板与目标基板；预键合、施压并低温退火后完成键合；对键合晶圆进行减薄、抛光、退火及清洗处理。本申请在低温条件下完成了硅基/铁电单晶直接键合，实现了高品质、大面积、低应力铁电单晶薄膜的制备，键合界面无空洞，键合强度、薄膜质量满足器件制作要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113321206A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110611308.X
申请日：2021-06-02
Applicant: 中北大学
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明属于新型碳材料微纳制造领域，涉及聚焦电子束高分辨图形加工、碳基新材料元素结构分析、微纳结构形貌观测等方面。本发明提供了一种电子束诱导石墨烯纳米条带原位生长制造技术，即，使用高能电子束（30μm光阑、30kV牵引电压、280 pA电子束流）对铜基底表面有机高分子薄膜进行辐照以获得石墨烯的方法。一方面，电子束与有机分子碰撞过程中会驱动碳原子重新排布形成石墨烯晶体结构，且电子束1~3nm尺寸光斑有助于高分辨石墨烯结构的制备；另一方面，电子束轰击有机高分子薄膜将在局部产生数百度高温，铜金属在高温环境下会对有机高分子中的碳原子产生解析作用，电子束真空曝光系统有助于铜基底对石墨烯的高温催化作用，提升石墨烯纳米条带品质。
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公开(公告)号：CN113321206B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202110611308.X
申请日：2021-06-02
Applicant: 中北大学
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明属于新型碳材料微纳制造领域，涉及聚焦电子束高分辨图形加工、碳基新材料元素结构分析、微纳结构形貌观测等方面。本发明提供了一种电子束诱导石墨烯纳米条带原位生长制造技术，即，使用高能电子束（30μm光阑、30kV牵引电压、280 pA电子束流）对铜基底表面有机高分子薄膜进行辐照以获得石墨烯的方法。一方面，电子束与有机分子碰撞过程中会驱动碳原子重新排布形成石墨烯晶体结构，且电子束1~3nm尺寸光斑有助于高分辨石墨烯结构的制备；另一方面，电子束轰击有机高分子薄膜将在局部产生数百度高温，铜金属在高温环境下会对有机高分子中的碳原子产生解析作用，电子束真空曝光系统有助于铜基底对石墨烯的高温催化作用，提升石墨烯纳米条带品质。
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公开(公告)号：CN112271249A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011145590.9
申请日：2020-10-23
Applicant: 中北大学
IPC: H01L41/187 , H01L41/312 , H01L41/39
Abstract: 本申请公开了硅基/铁电单晶材料低温晶圆键合及薄膜化加工方法，包括：化学机械抛光原始基板与目标基板；第一次清洗后在原始基板磁控溅射Ti/Pt/Ti电极层；在原始基板上利用等离子体增强化学气相沉积法沉积氧化层；化学机械抛光原始基板表面氧化层；第二次清洗后在原始基板和目标基板上进行第一次等离子体活化；第三次清洗后在原始基板和目标基板上进行第二次等离子体活化；采用甲醇浸泡原始基板与目标基板；预键合、施压并低温退火后完成键合；对键合晶圆进行减薄、抛光、退火及清洗处理。本申请在低温条件下完成了硅基/铁电单晶直接键合，实现了高品质、大面积、低应力铁电单晶薄膜的制备，键合界面无空洞，键合强度、薄膜质量满足器件制作要求。
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公开(公告)号：CN116281838A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310208055.0
申请日：2023-03-07
Applicant: 中北大学
Abstract: 本申请提供了一种基于铌酸锂单晶薄膜的畴壁元件及其制备方法，通过在铌酸锂单晶表面离子注入、剥离损伤层并与衬底直接键合得到铌酸锂单晶薄膜，再利用旋涂掩膜层通过光刻和干法刻蚀图形后生长硬掩膜，最终得到基于铌酸锂单晶薄膜的畴壁元件。本申请采用微纳加工技术与外场调控相结合方式诱导铁电单晶薄膜凸起结构敏感单元电畴反转，以实现导电畴壁束缚电荷分布的精确调控，形成了尾对尾和头对头的畴壁电流，有效解决了铌酸锂单晶畴壁电流测量时矫顽场过大、电流较小、不良电学接触等问题，制得产物不惧各类恶劣环境、测量精度高，使用寿命长，可以反复测量，具有大量程、高精度、高稳定、高可靠的优点。
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公开(公告)号：CN116180030A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310208057.X
申请日：2023-03-07
Applicant: 中北大学
Abstract: 本申请提供了一种基于铌酸锂单晶薄膜的畴壁电流测试元件及其制备方法，通过铌酸锂离子注入剥离的方法得到集成在衬底表面的铌酸锂薄膜；在铌酸锂薄膜表面涂覆掩模层，使用紫外光刻法刻蚀图形，在铌酸锂薄膜图形化结构范围内生长电畴；使用磁控溅射法生长金属，去除多余的金属后得到基于铌酸锂单晶薄膜的畴壁电流测试元件。本申请通过诱导光刻结构区域电畴翻转以实现对导电畴壁的测量，可以克服现有畴壁电流测试方法低精度、无弛豫时间、不良电学接触、工艺复杂等问题，根本解决畴壁电流高精度测试难题，制得产物具有结构简单、制作方便、测试精度高、可以反复测试的优点，提高了测试效率，为纳米器件的未来发展提供了技术支撑。
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