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公开(公告)号:CN119430894B
公开(公告)日:2025-04-15
申请号:CN202510039144.6
申请日:2025-01-10
Applicant: 中冶检测认证有限公司 , 山东省冶金设计院股份有限公司
IPC: C04B35/14 , C04B35/622 , C04B35/66 , C04B35/64
Abstract: 本发明属于材料领域,涉及一种硅砖及其制备方法。本发明以四水硝酸钙和硝酸亚铁为矿化剂,在硅砖烧成过程中为其提供高活性、均匀分布的CaO和FeO,解决了现有硅砖制备技术中采用“石灰乳+铁鳞”作为矿化剂时存在的矿化剂难以均匀分散、Fe2+易氧化而导致的矿化剂利用效率低问题。本发明通过提升矿化剂使用效率而实现矿化剂减量和烧成温度降低,所生产的硅砖在不降低磷石英含量的前提下显著降低了成品砖中的非晶相含量。本发明制备方法简单,原料丰富且性价比优,烧成过程易控,适宜大型硅砖的工业化生产,成品砖各项性能优异且具有较高的合格率。
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公开(公告)号:CN119430894A
公开(公告)日:2025-02-14
申请号:CN202510039144.6
申请日:2025-01-10
Applicant: 中冶检测认证有限公司 , 山东省冶金设计院股份有限公司
IPC: C04B35/14 , C04B35/622 , C04B35/66 , C04B35/64
Abstract: 本发明属于材料领域,涉及一种硅砖及其制备方法。本发明以四水硝酸钙和硝酸亚铁为矿化剂,在硅砖烧成过程中为其提供高活性、均匀分布的CaO和FeO,解决了现有硅砖制备技术中采用“石灰乳+铁鳞”作为矿化剂时存在的矿化剂难以均匀分散、Fe2+易氧化而导致的矿化剂利用效率低问题。本发明通过提升矿化剂使用效率而实现矿化剂减量和烧成温度降低,所生产的硅砖在不降低磷石英含量的前提下显著降低了成品砖中的非晶相含量。本发明制备方法简单,原料丰富且性价比优,烧成过程易控,适宜大型硅砖的工业化生产,成品砖各项性能优异且具有较高的合格率。
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公开(公告)号:CN119683981A
公开(公告)日:2025-03-25
申请号:CN202411646951.6
申请日:2024-11-18
Applicant: 中冶检测认证有限公司 , 山东省冶金设计院股份有限公司
IPC: C04B35/195 , C04B35/66 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及耐火材料技术领域,特别是指一种焦炉硅砖及其制备方法,制备方法包括如下步骤:S1、将硅石细粉、四水硝酸钙、高硅铝合金粉混合制成泥料1;S2、将泥料1在500‑950℃下预烧;S3、将硅石骨料、结合剂,与S2预烧后得到的物料一同搅拌均匀,制成泥料2;S4、将泥料2压制成砖坯,经干燥、烧结工序制得焦炉硅砖。本发明使用CaO‑Al2O3系矿化剂生产焦炉硅砖,通过预烧手段控制砖内高硅铝合金高温下的反应路径,提升焦炉用硅砖产品的导热性能。本发明制备方法简单,原料丰富且性价比优,烧成过程易控,适宜大型硅砖的工业化生产,成品砖具有优异的导热性能。
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公开(公告)号:CN118479861A
公开(公告)日:2024-08-13
申请号:CN202410531219.8
申请日:2024-04-29
Applicant: 中冶检测认证有限公司 , 山东省冶金设计院股份有限公司
IPC: C04B35/043 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种不烧镁钙砖及其制备方法,属于耐火材料领域。其原料包括骨料、细粉、石墨、结合剂和复合添加剂,所述复合添加剂中含有四水硝酸钙。本发明的不烧镁钙砖具有以下有益性能:(1)复合添加剂在不烧镁钙砖中呈网络状均匀分布,因复合添加剂中四水硝酸钙在砖坯干燥过程中的脱水反应,成品砖内形成了均匀的网络状裂纹,进而提升了产品的抗热震稳定性;(2)四水硝酸钙脱水形成的硝酸钙具有较强的吸水性,有效保护了砖中CaO不被水化,提升了产品的抗水化性能;(3)成品不烧镁钙砖在高温使用过程中,硝酸钙经历熔融、分解转变为高活性CaO,并与同为复合添加剂中引入的SiO2反应形成结合相,提升不烧镁钙砖的中温性能。
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公开(公告)号:CN117142877B
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN202311419784.7
申请日:2023-10-30
Applicant: 中冶检测认证有限公司 , 山东省冶金设计院股份有限公司
Abstract: 本发明属于轻质硅砖材料领域,尤其涉及一种轻质硅砖的制备方法及其所得轻质硅砖,本发明借助于四水硝酸钙低熔点特性,利用烘烤后液态四水硝酸钙与硅石细粉和锯末的湿法预混合,配合其他步骤,解决了机压可燃法生产轻质硅砖时干法混合造成的可燃物分布不均问题。并且本发明所涉及的轻质硅砖中四水硝酸钙还同时具有矿化剂和造孔剂功能,作为矿化剂和造孔剂四水硝酸钙能够做到分布均匀且高温烧成过程中逐步分解,吸收应力、降低热导率的同时不会对砖体产生破坏。本发明制备方法简单,原料丰富且性价比优,烧成过程易控,砖体不会泛黄,适宜大型硅砖的工业化生产,成品砖具有较高的强度。
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公开(公告)号:CN117142877A
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202311419784.7
申请日:2023-10-30
Applicant: 中冶检测认证有限公司 , 山东省冶金设计院股份有限公司
Abstract: 本发明属于轻质硅砖材料领域,尤其涉及一种轻质硅砖的制备方法及其所得轻质硅砖,本发明借助于四水硝酸钙低熔点特性,利用烘烤后液态四水硝酸钙与硅石细粉和锯末的湿法预混合,配合其他步骤,解决了机压可燃法生产轻质硅砖时干法混合造成的可燃物分布不均问题。并且本发明所涉及的轻质硅砖中四水硝酸钙还同时具有矿化剂和造孔剂功能,作为矿化剂和造孔剂四水硝酸钙能够做到分布均匀且高温烧成过程中逐步分解,吸收应力、降低热导率的同时不会对砖体产生破坏。本发明制备方法简单,原料丰富且性价比优,烧成过程易控,砖体不会泛黄,适宜大型硅砖的工业化生产,成品砖具有较高的强度。
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公开(公告)号:CN115536409B
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202211303558.8
申请日:2022-10-24
Applicant: 中冶检测认证有限公司 , 中冶建筑研究总院有限公司
IPC: C04B35/66 , C04B35/14 , C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 本发明涉及硅砖技术领域,特别是指一种添加四水硝酸钙的硅砖及其制备方法,所述硅砖包括矿化剂,所述矿化剂包括四水硝酸钙,所述硅砖中四水硝酸钙的质量含量为0.1%~10%。本发明借助于四水硝酸钙原料混炼时易分散、高温烧成过程中逐步分解等特性解决了现有硅砖制备技术中采用“铁鳞+石灰乳”作为矿化剂时存在的矿化剂难以分散、烧成过程难以控制以及砖内玻璃相含量高等问题。本发明制备方法简单,原料丰富且性价比优,烧成过程易控,适宜大型硅砖的工业化生产,成品砖具有较高的合格率和鳞石英含量。
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公开(公告)号:CN115266314A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202210809220.3
申请日:2022-07-11
Applicant: 中冶检测认证有限公司 , 中冶建筑研究总院有限公司
Abstract: 本发明涉及拉伸实验器具技术领域,公开了一种抗拉强度测试用卡具及抗拉强度测试设备和方法,该卡具包括:拉伸杆,一端设有可与测试机相连的接口,另一端居中设有垂直于长度方向的第一轴孔;粘接块,中部设有可容置所述拉伸杆另一端的凹槽,槽壁上设有与所述第一轴孔相对的第二轴孔,所述粘接块的远离所述拉伸杆的一端设有可抵接在待测试样端面的粘接面,所述粘接面上涂覆有抗拉强度大于同类待测试样的抗拉强度的粘接剂;连接轴,穿设在所述第一轴孔和所述第二轴孔内。采用具有该卡具的抗拉强度测试设备在对无机非金属材料进行抗拉测试时,其传力路径短,过程中不偏心、不会出现应力集中现象。
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公开(公告)号:CN116675521B
公开(公告)日:2024-10-25
申请号:CN202310690164.0
申请日:2023-06-12
Applicant: 中冶检测认证有限公司 , 中冶建筑研究总院有限公司
IPC: C04B35/103 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及耐火材料技术领域,特别是指一种AlON结合刚玉质滑板及其制备方法,按重量百分比计,其原料组成包括:45%~94%的刚玉,5%~30%的活性氧化铝,1%~15%的金属铝,0.1%~10%的硝酸钙。本发明AlON结合的刚玉质滑板不含碳,无需氮化烧成,借助于硝酸钙(优选四水硝酸钙)高温分解所释放的NO(g)实现金属铝的氮化。本发明滑板制备工艺简单,原料丰富且性价比优,烧成过程易控,用于洁净钢连铸时不会发生二次C、H、O及其他杂质的污染。
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公开(公告)号:CN116675521A
公开(公告)日:2023-09-01
申请号:CN202310690164.0
申请日:2023-06-12
Applicant: 中冶检测认证有限公司 , 中冶建筑研究总院有限公司
IPC: C04B35/103 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及耐火材料技术领域,特别是指一种AlON结合刚玉质滑板及其制备方法,按重量百分比计,其原料组成包括:45%~94%的刚玉,5%~30%的活性氧化铝,1%~15%的金属铝,0.1%~10%的硝酸钙。本发明AlON结合的刚玉质滑板不含碳,无需氮化烧成,借助于硝酸钙(优选四水硝酸钙)高温分解所释放的NO(g)实现金属铝的氮化。本发明滑板制备工艺简单,原料丰富且性价比优,烧成过程易控,用于洁净钢连铸时不会发生二次C、H、O及其他杂质的污染。
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