公开(公告)号：CN106154591A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510130676.7

申请日：2015-03-23

Applicant: 中兴通讯股份有限公司 ,  北京大学

Inventor： 周治平 ,  李田甜 ,  钟舫 ,  华锋 ,  王会涛

IPC: G02F1/03

CPC classification number: G02F1/03

Abstract: 本发明公开了一种PN结，至少包括：轻掺杂P区、与轻掺杂P区相连的轻掺杂N区；其中，轻掺杂P区和轻掺杂N区在波导脊形区长度方向交替分布，且轻掺杂P区和轻掺杂N区在波导脊形区上的区域的交界面在与交界面垂直的平面上的投影为一条折线。通过本发明的方案，提高了调制效率，降低了功耗。

公开(公告)号：CN106328751A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201510382643.1

申请日：2015-07-02

Applicant: 中兴通讯股份有限公司

Inventor： 周治平 ,  涂芝娟 ,  华锋 ,  王会涛 ,  张琦

IPC: H01L31/101

CPC classification number: H01L31/101

Abstract: 本发明公开了一种硅基锗光电探测器，包括由上至下依次层叠的光波导层、硅氧化层和硅衬底，所述光波导层包括沿着光信号的传播方向依次分布的光耦合区、平面光波导区和光输出区，所述光耦合区上形成有用于接收光信号并将所述光信号引导至所述平面光波导区的耦合光栅；所述硅基锗光电探测器还包括叠在所述光输出区上的锗层、叠在所述锗层上的硅覆盖层、形成在所述硅覆盖层上的第一电极和形成在所述光输出区上的第二电极，所述锗层接收来自所述光输出区的光信号并将所述光信号转换为电信号。通过引入硅覆盖层，大大提高了带宽，同时大大降低了器件的暗电流，使器件的综合性能指标得到提高，能更好地满足高速光通信和光互连系统的要求。