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公开(公告)号：CN116813354A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310664027.X
申请日：2023-06-06
Applicant: 东莞理工学院
IPC: C04B35/591 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明公开了一种原位制备氮化硅陶瓷的方法、制得的氮化硅陶瓷及其应用。本发明以纳米级SiO2粉、石墨粉作为原料，并添加酚醛树脂原位提供碳源，添加适量烧结助剂，采用粉末熔融挤出技术进行3D打印，在N2或Ar气的保护性气氛中脱脂，之后在N2或NH3气氛下在1400～1600℃进行气相烧结。克服了传统氮化硅成型困难等问题，省去了传统工艺模具制造的成本和时间，直接原位成型复杂形状的氮化硅陶瓷。本发明制得的氮化硅陶瓷的密度为2.8～3.0g/cm3，弯曲强度为600～900MPa，断裂韧性为6～10MPa·m1/2，热导率为60～90W/(m·K)，可用于制备陶瓷基板。
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公开(公告)号：CN116516310A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310521942.3
申请日：2023-05-09
Applicant: 东莞理工学院
Abstract: 本发明涉及涂层的制备技术领域，公开了复合涂层及其制备方法、植入材料和医疗器械。公开的复合涂层，包括：在基体表面依次设置的Ti过渡层、第一陶瓷层和第二陶瓷层，第一陶瓷层的主要成分为Ti3SiC2，第二陶瓷层主要成分为Ti3(Si,Ag)C2。公开的制备方法，包括在基体表面依次沉积Ti过渡层和主要成分为Ti3SiC2的第一陶瓷层以及主要成分为Ti3(Si,Ag)C2的第二陶瓷层。公开的植入材料，包括在基体表面沉积上述复合涂层。公开的医疗器械，包括上述的植入材料。本发明的复合涂层能增强钛合金的耐磨性和耐蚀性，并且植入初期还具有抗细菌感染的能力。
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公开(公告)号：CN116516288A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310521765.9
申请日：2023-05-09
Applicant: 东莞理工学院
Abstract: 本发明公开涉及陶瓷涂层的制备技术领域，公开了高熵MAX相陶瓷涂层及其制备方法和陶瓷材料及其应用。公开的制备方法包括：采用高功率脉冲磁控溅射法在基体表面沉积涂层；高功率脉冲磁控溅射过程中用到的靶材为热压制备的复合成分靶材，其元素成分摩尔比为M:Al:N＝1.9～2.1:1:0.8～1.1，M元素选自Ti、V、Zr、Nb、Ta和Hf中至少五种，M元素中每一种金属元素所占百分比在5～35％之间。高熵MAX相陶瓷涂层，采用如前述制备方法制得。陶瓷材料，采用如前述制备方法在基体表面沉积高熵MAX相陶瓷涂层得到。该涂层的制备方法能制得性能好的高熵MAX涂层，且该方法制备过程不引入活性气体氮气，重复性好。
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公开(公告)号：CN116813354B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310664027.X
申请日：2023-06-06
Applicant: 东莞理工学院
IPC: C04B35/591 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明公开了一种原位制备氮化硅陶瓷的方法、制得的氮化硅陶瓷及其应用。本发明以纳米级SiO2粉、石墨粉作为原料，并添加酚醛树脂原位提供碳源，添加适量烧结助剂，采用粉末熔融挤出技术进行3D打印，在N2或Ar气的保护性气氛中脱脂，之后在N2或NH3气氛下在1400～1600℃进行气相烧结。克服了传统氮化硅成型困难等问题，省去了传统工艺模具制造的成本和时间，直接原位成型复杂形状的氮化硅陶瓷。本发明制得的氮化硅陶瓷的密度为2.8～3.0g/cm3，弯曲强度为600～900MPa，断裂韧性为6～10MPa·m1/2，热导率为60～90W/(m·K)，可用于制备陶瓷基板。
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