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公开(公告)号：CN102347258B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110276973.4
申请日：2011-09-19
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/205 , C30B25/12 , C30B23/02
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体外延系统的基座，机械传动方式实现基座的公转、气动旋转方式实现衬底的自转，并结合机械手实现基座整体的升降。本发明包含有大盘、小盘，大盘内部设有辐射状的内部气路通道，大盘的内部气路通道连通小盘，支撑杆内的内部气道连通大盘内部辐射状的内部气路通道，支撑杆中部设有金属法兰，金属法兰的中心设有磁流体组件，撑杆延伸出金属法兰的部分固定有一从动轮，从动轮一侧等高的位置设有主动轮，靠近支撑杆尾端的位置设有轴承组件，支撑杆的尾端设有进气组件，进气组件由轴承组件、B套管和气体入口组成。本发明的设计可以节约反应的原料、提高薄膜的均匀性；基座结构简单、可靠。
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公开(公告)号：CN102127808B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201010617807.1
申请日：2010-12-31
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化镓基材料生长所需要的金属源气体，利用金属的三氯化物作为源材料，通过载气输运并混合反应得到所需的源气体。本发明将一定量金属的三氯化物放置于石英腔加热，并以氢气、氮气、惰性气体或者它们的混合气体作为载气，调节载气的流量即可获得需要的三氯化物流量，转化气体后输运至材料生长系统，生长氮化镓基半导体材料。本发明的外置的金属源系统可以减小半导体生长系统的反应室体积，获得均匀的流场以及温场分布，降低了设备的设计与维护成本。
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公开(公告)号：CN102154691B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110142242.0
申请日：2011-05-30
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种狭缝式多气体输运喷头结构，包括喷头，喷头上设有若干进气管道、若干辅助气路管道、第一匀气孔板、第二匀气孔板及导流板，进气管道管壁与辅助气路管道空间连通，第一匀气孔板外侧设有若干相互平行的进气管道，第一匀气孔板内侧相邻进气管道之间设有与进气管道平行的导流板，所述导流板连接第一匀气孔板及第二匀气孔板后向下延伸。本发明能有效减少预反应的发生，提高反应效率，且当喷头的长度增加时，增加对应的辅助气路管道的数量，实现气流的浓度和速度均匀分布，从而满足大规模生产设备的需要。
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公开(公告)号：CN102094248A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010618011.8
申请日：2010-12-31
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种能依据降温速率、停留时间、移动速度等进行退火控制的装置和方法，特别解决了目前不能根据GaN衬底温度为依据的自动控制的问题，由此可以把温度作定量，而对不同片厚度的GaN作退火工艺研究及其稳定退火工艺。本发明采用闭环控制，实现了自动判断、降温方式可调、退火控制菜单可编和实时存储数据功能。本发明用于半导体行业中的退火工艺的自动化控制，操作提示、形象化显示、暂停取消和显示当时运行状态等功能均具备。可以根据不同的需要而制定专用程序。
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公开(公告)号：CN102094248B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010618011.8
申请日：2010-12-31
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种能依据降温速率、停留时间、移动速度等进行退火控制的装置和方法，特别解决了目前不能根据GaN衬底温度为依据的自动控制的问题，由此可以把温度作定量，而对不同片厚度的GaN作退火工艺研究及其稳定退火工艺。本发明采用闭环控制，实现了自动判断、降温方式可调、退火控制菜单可编和实时存储数据功能。本发明用于半导体行业中的退火工艺的自动化控制，操作提示、形象化显示、暂停取消和显示当时运行状态等功能均具备。可以根据不同的需要而制定专用程序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102108547B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201010617286.X
申请日：2010-12-31
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: C30B25/14 , C30B29/40 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种采用氢化物气相外延（HVPE）技术同时在多片或大尺寸衬底上生长GaN材料的方法，同时提供可以实现该方法的装置，特别是用于提供大面积生长区域的喷口。在该装置上应用本发明提供的方法，可以一次同时生长5片以上（视恒温区范围及喷口大小而定）2英寸GaN衬底或者一片以上4英寸甚至6英寸衬底。喷头设计使得氯化镓GaCl和氨NH3在喷口处互不混合，减少喷口处的预反应，防止管路堵塞，仅在衬底表面混合，形成均匀的混合层，提高GaN产品的厚度均匀性和质量。
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公开(公告)号：CN102212799A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110142250.5
申请日：2011-05-30
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明公开了一种高反应率反应室，包括室体，室体具有顶壁、底壁及连接顶壁与底壁的两侧壁，顶壁内侧面上设有复数上挡板，底壁内侧面上设有复数下挡板，上挡板与下挡板向内的顶端上下相互交叉，上挡板与下挡板之间平行的间隔排布，室体上连接有输入管道及输出管道。本发明通过在室体内设置若干挡板，使气体多次接触金属源表面，发生多次反应，从而提高了反应效率。
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公开(公告)号：CN102154691A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110142242.0
申请日：2011-05-30
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种狭缝式多气体输运喷头结构，包括喷头，喷头上设有若干进气管道、若干辅助气路管道、第一匀气孔板、第二匀气孔板及导流板，进气管道管壁与辅助气路管道空间连通，第一匀气孔板外侧设有若干相互平行的进气管道，第一匀气孔板内侧相邻进气管道之间设有与进气管道平行的导流板，所述导流板连接第一匀气孔板及第二匀气孔板后向下延伸。本发明能有效减少预反应的发生，提高反应效率，且当喷头的长度增加时，增加对应的辅助气路管道的数量，实现气流的浓度和速度均匀分布，从而满足大规模生产设备的需要。
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公开(公告)号：CN102347258A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110276973.4
申请日：2011-09-19
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/205 , C30B25/12 , C30B23/02
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体外延系统的基座，机械传动方式实现基座的公转、气动旋转方式实现衬底的自转，并结合机械手实现基座整体的升降。本发明包含有大盘、小盘，大盘内部设有辐射状的内部气路通道，大盘的内部气路通道连通小盘，支撑杆内的内部气道连通大盘内部辐射状的内部气路通道，支撑杆中部设有金属法兰，金属法兰的中心设有磁流体组件，撑杆延伸出金属法兰的部分固定有一从动轮，从动轮一侧等高的位置设有主动轮，靠近支撑杆尾端的位置设有轴承组件，支撑杆的尾端设有进气组件，进气组件由轴承组件、B套管和气体入口组成。本发明的设计可以节约反应的原料、提高薄膜的均匀性；基座结构简单、可靠。
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公开(公告)号：CN102127808A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010617807.1
申请日：2010-12-31
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化镓基材料生长所需要的金属源气体，利用金属的三氯化物作为源材料，通过载气输运并混合反应得到所需的源气体。本发明将一定量金属的三氯化物放置于石英腔加热，并以氢气、氮气、惰性气体或者它们的混合气体作为载气，调节载气的流量即可获得需要的三氯化物流量，转化气体后输运至材料生长系统，生长氮化镓基半导体材料。本发明的外置的金属源系统可以减小半导体生长系统的反应室体积，获得均匀的流场以及温场分布，降低了设备的设计与维护成本。
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