公开(公告)号：CN1288108C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200410103813.X

申请日：2004-10-15

Applicant: 东芝陶瓷股份有限会社

Inventor： 小林庆朗 ,  市岛雅彦 ,  横山优

IPC: C04B35/10 ,  C04B41/85 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/68 ,  C23C16/50

CPC classification number: C04B41/5045 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5032 ,  C04B41/87 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C04B35/10 ,  C04B41/4527 ,  C04B41/5353

Abstract: 本发明涉及一种耐等离子体构件，其包含在氧化铝基材上热进行的Y2O3或YAG热喷涂层，其中氧化铝基材的表面粗糙度Ra为5微米或更高且15微米或更低。通过使氧化铝基材表面层具有孔隙率为20%或更高且60%或更低、深度为10微米到100微米的多孔性，可提供具有增强粘附强度的耐等离子体构件。上述耐等离子体构件可通过对氧化铝基材表面进行化学蚀刻、然后在氧化铝基材的粗化表面热喷涂Y2O3或YAG以形成耐等离子体层而制成。

公开(公告)号：CN1648102A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410103813.X

申请日：2004-10-15

Applicant: 东芝陶瓷股份有限会社

Inventor： 小林庆朗 ,  市岛雅彦 ,  横山优

IPC: C04B35/10 ,  C04B41/85 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/68 ,  C23C16/50

CPC classification number: C04B41/5045 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5032 ,  C04B41/87 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C04B35/10 ,  C04B41/4527 ,  C04B41/5353

Abstract: 本发明涉及一种耐等离子体构件，其包含在氧化铝基材上热进行的Y2O3或YAG热喷涂层，其中氧化铝基材的表面粗糙度Ra为5微米或更高且15微米或更低。通过使氧化铝基材表面层具有孔隙率为20％或更高且60％或更低、深度为10微米到100微米的多孔性，可提供具有增强粘附强度的耐等离子体构件。上述耐等离子体构件可通过对氧化铝基材表面进行化学蚀刻、然后在氧化铝基材的粗化表面热喷涂Y2O3或YAG以形成耐等离子体层而制成。

公开(公告)号：CN1576257A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410070358.8

申请日：2004-07-29

Applicant: 东芝陶瓷股份有限会社

Inventor： 小林庆朗 ,  市岛雅彦 ,  横山优

IPC: C04B35/00 ,  C04B35/50 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23F4/00 ,  B01J19/02

CPC classification number: C23C30/00 ,  C23C4/04 ,  C23C4/11

Abstract: 一种耐等离子体构件，它具有一种基底材料和一层Y2O3制成的涂层，所述涂层在上述基底材料的一个表面上形成。该涂层具有一厚度为10μm或大于10μm，并且涂层的Y2O3含有在100ppm－1000ppm范围内的固溶体Si。