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公开(公告)号：CN110211943A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201810832374.8
申请日：2018-07-26
Applicant: 东芝存储器株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/56
Abstract: 本发明的实施方式提供电极层的位置精度较高的半导体装置及其制造方法。本发明的实施方式的半导体装置具备：再配线层；多个凸块，设置在所述再配线层的第1面上；多个芯片，积层在所述再配线层的第2面上；及树脂构件，设置在所述第2面上，覆盖所述多个芯片。所述再配线层具有：绝缘层；配线，设置在所述绝缘层内；第1通孔，设置在所述绝缘层内，与所述配线连接；电极层，设置在所述绝缘层内，由与所述第1通孔的材料不同的金属材料形成，在所述第1面露出，且与所述第1通孔及所述凸块连接；及第2通孔，设置在所述绝缘层内，与所述配线及所述多个芯片连接。所述电极层与所述第2面的距离短于所述第1面与所述第2面的距离。
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