通过表面波等离子体形成蒸镀膜的方法及装置

    公开(公告)号:CN101189360B

    公开(公告)日:2010-09-01

    申请号:CN200680019913.1

    申请日:2006-04-03

    CPC classification number: C23C16/545 C23C16/511 H01J37/32192 H01J37/3277

    Abstract: 本发明的蒸镀膜形成方法的特征在于,在真空区域内配置利用微波的表面波发生装置(10),使塑料薄膜基材(13)以面对该表面波发生装置的方式连续地移动到该真空区域内,并且将至少含有有机金属化合物的反应气体连续地供给到该真空区域内,借助来自该表面波发生装置(10)的微波的表面波来执行等离子体反应,从而在上述薄膜基材(13)表面上连续地形成蒸镀膜。根据该方法,能够通过微波的表面波等离子体,在薄膜基材表面上、特别是长条薄膜的表面上连续地形成蒸镀膜。

    通过表面波等离子体形成蒸镀膜的方法及装置

    公开(公告)号:CN101189360A

    公开(公告)日:2008-05-28

    申请号:CN200680019913.1

    申请日:2006-04-03

    CPC classification number: C23C16/545 C23C16/511 H01J37/32192 H01J37/3277

    Abstract: 本发明的蒸镀膜形成方法的特征在于,在真空区域内配置利用微波的表面波发生装置(10),使塑料薄膜基材(13)以面对该表面波发生装置的方式连续地移动到该真空区域内,并且将至少含有有机金属化合物的反应气体连续地供给到该真空区域内,借助来自该表面波发生装置(10)的微波的表面波来执行等离子体反应,从而在上述薄膜基材(13)表面上连续地形成蒸镀膜。根据该方法,能够通过微波的表面波等离子体,在薄膜基材表面上、特别是长条薄膜的表面上连续地形成蒸镀膜。

    采用等离子体CVD法的蒸镀膜

    公开(公告)号:CN101163817B

    公开(公告)日:2010-06-16

    申请号:CN200680013444.2

    申请日:2006-02-07

    Abstract: 本发明的蒸镀膜通过使用有机金属化合物和氧化性气体作为反应气体的等离子体CVD法而形成在基体表面,以来源于上述有机金属化合物的金属元素(M)、氧(O)和碳(C)3种元素为基准,上述蒸镀膜划分为碳浓度为5元素%以上的基体侧粘结层、碳浓度不到5元素%的阻挡性中间层、和碳浓度为5元素%以上的表面保护层。该蒸镀膜不仅对基体的附着性良好,而且对水分、特别是碱水溶液的耐受性也优异。

    采用等离子体CVD法的蒸镀膜

    公开(公告)号:CN101163817A

    公开(公告)日:2008-04-16

    申请号:CN200680013444.2

    申请日:2006-02-07

    Abstract: 本发明的蒸镀膜通过使用有机金属化合物和氧化性气体作为反应气体的等离子体CVD法而形成在基体表面,以来源于上述有机金属化合物的金属元素(M)、氧(O)和碳(C)3种元素为基准,上述蒸镀膜划分为碳浓度为5元素%以上的基体侧粘结层、碳浓度不到5元素%的阻挡性中间层、和碳浓度为5元素%以上的表面保护层。该蒸镀膜不仅对基体的附着性良好,而且对水分、特别是碱水溶液的耐受性也优异。

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