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公开(公告)号:CN118160078A
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN202280071572.1
申请日:2022-10-24
Applicant: 东曹株式会社
IPC: H01L21/312 , C08F8/26 , C08F212/14 , C08F212/32 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种通过用作有机场效应晶体管器件的栅绝缘膜层而能够制作具有优异的偏压应力耐性的有机场效应晶体管器件元件的树脂。一种树脂,其包含式(1)所示的重复单元和式(2)所示的重复单元,式(2)所示的重复单元具有的HOMO能级为‑6.4eV以下,相对于式(1)所示的重复单元和式(2)所示的重复单元的总数,包含20摩尔%以上的式(2)所示的重复单元。