公开(公告)号：CN108667434B

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN201810324422.2

申请日：2018-04-12

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 陈超

IPC: H03F1/56 ,  H03F1/30 ,  H03F1/02

Abstract: 本发明公开一种低电压低输出阻抗跨阻放大器，包括第一至第十MOS管以及第一、第二电阻，MOS管构成两级放大器，第一级为共栅放大器结构，第二级为共源放大器结构；电阻跨接于输入端和输出端之间，保证了低输入阻抗和低输出阻抗。此种结构可工作在低电源电压下，提高了电流转换效率并缓解了带外干扰信号对电路工作点的影响。

公开(公告)号：CN108667434A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810324422.2

申请日：2018-04-12

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 陈超

IPC: H03F1/56 ,  H03F1/30 ,  H03F1/02

Abstract: 本发明公开一种低电压低输出阻抗跨阻放大器，包括第一至第十MOS管以及第一、第二电阻，MOS管构成两级放大器，第一级为共栅放大器结构，第二级为共源放大器结构；电阻跨接于输入端和输出端之间，保证了低输入阻抗和低输出阻抗。此种结构可工作在低电源电压下，提高了电流转换效率并缓解了带外干扰信号对电路工作点的影响。

公开(公告)号：CN106100589A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610403488.1

申请日：2016-06-08

Applicant: 东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 张轩 ,  陈超

IPC: H03D7/16

CPC classification number: H03D7/16

Abstract: 本发明公开了一种单转双窄带无源混频器，包括依次连接的跨导级、本振开关以及跨阻放大器，所述跨导级在NMOS跨导管的上下分别串联PMOS电流源和NMOS电流源，所述跨导级利用无源混频开关的阻抗变化作用，在本振频率处拉低跨导级的输出阻抗并构造近似交流虚地，输入电压的变化将引起NMOS跨导管电流变化，而NMOS跨导管产生的射频电流均注入本振开关，其源极和漏极电流大小相等，相位相反；所述跨阻放大器根据饱和区MOS管从源端和漏端看进去阻抗具有显著差别的特性，对输出阻抗和输入阻抗采用跨导增强技术减少输入阻抗并提高输出阻抗。本发明的混频器使用单路偏置电流实现了双路差分电流输出的效果，显著降低了功耗。