一种超低剖面折叠超表面阵列设计方法

    公开(公告)号:CN117951871A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202311734578.5

    申请日:2023-12-18

    Abstract: 本发明涉及超表面天线技术领域,具体涉及一种超低剖面折叠超表面阵列设计方法。实现包括以下几个步骤:步骤1:利用电磁仿真软件设计具有极化选择性和可大角度入射特性的超表面单元和转极化反射单元。步骤2:确定阵列规模,并设置所需的焦点F和低剖面高度h。步骤3:根据单元的位置计算转极化单元的转极化反射相位、超表面单元的透射相位和超表面单元的反射相位。步骤4:根据单元的反射相位和透射相位曲线确定每个单元的物理参数。步骤5:通过电磁仿真软件对整体阵列进行仿真,并获得阵列的天线性能曲线。该设计方法可用于实现超低剖面折叠超表面阵列的高性能天线,可以灵活实现任意的剖面缩短效果,适用于不同的应用需求。

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