公开(公告)号：CN116232309A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202211051640.6

申请日：2022-08-31

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 孙伟锋 ,  袁清 ,  谢宇 ,  郑逸飞 ,  李泳佳 ,  时龙兴

IPC: H03K19/0175

Abstract: 本发明提供一种低功耗的高速电平移位电路，包括低压‑高压的电平移位模块、辅助锁存模块、自适应窄脉冲产生模块和辅助上拉模块；低压‑高压的电平移位模块包括低压‑高压电平移位电路和信号处理电路；辅助上拉模块包括两路分别设于低压‑高压电平移位电路高侧两个输出S、R点处的辅助上拉电路；辅助上拉电路包括反相器、与非门和PMOS管；辅助锁存模块包括辅助锁存电路，用于产生两个信号控制信号A和B，连接到两路辅助上拉电路，控制两个PMOS管仅在该管所辅助的支路输出点电位由低向高翻转时提供一个额外的上拉电流。本发明在保证足够的抗dV/dt能力的基础上，能够有效地降低电平移位电路的功耗和延时，实现驱动电路的高频工作，保证电源系统的高效性。

公开(公告)号：CN114865890B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202210570464.0

申请日：2022-05-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  袁清 ,  魏涛 ,  郑逸飞 ,  时龙兴

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/088 ,  H02M1/32

Abstract: 本发明公开了一种用于GaN功率管半桥驱动中高抗扰电路，分别在高/低侧驱动电路与高/低侧GaN功率管之间设置高/低侧高抗扰电路，高/低侧高抗扰电路内均设有由正向串扰电压尖峰吸收电路和负向串扰电压尖峰吸收电路构成的串扰抑制辅助回路，正、负向串扰电压尖峰吸收电路相互配合，对GaN电路的正向、反向串扰问题能够产生良好的抑制效果，使得驱动电路能可靠工作。

公开(公告)号：CN114865890A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210570464.0

申请日：2022-05-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  袁清 ,  魏涛 ,  郑逸飞 ,  时龙兴

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/088 ,  H02M1/32

Abstract: 本发明公开了一种用于GaN功率管半桥驱动中高抗扰电路，分别在高/低侧驱动电路与高/低侧GaN功率管之间设置高/低侧高抗扰电路，高/低侧高抗扰电路内均设有由正向串扰电压尖峰吸收电路和负向串扰电压尖峰吸收电路构成的串扰抑制辅助回路，正、负向串扰电压尖峰吸收电路相互配合，对GaN电路的正向、反向串扰问题能够产生良好的抑制效果，使得驱动电路能可靠工作。