公开(公告)号：CN101969062B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201010265794.6

申请日：2010-08-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  魏守明 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/76

Abstract: 一种提高电流密度的绝缘体上硅N型半导体组合器件，包括：P型衬底，在P型衬底上设埋氧层，在埋氧层上设P型外延层且P型外延层被分割成区域I和II，其中I区为绝缘栅双极型器件区，包括：N型漂移区、P型深阱、N型缓冲阱、P型漏区、N型源区和P型体接触区，在硅表面相应设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅；其中II区为高压三极管区，包括：N型三极管漂移区、N型三极管缓冲阱、P型发射区和N型基区，其特征在于II区中的N型基区包在N型缓冲区内部，且I区中P型漏区上的第一漏极金属与II区中N型基区上的第一基极金属通过第二金属连通。本发明在不增加器件面积基础上显著提升器件的电流密度且器件其他性能参数并不改变。

公开(公告)号：CN102280472A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110224198.8

申请日：2011-08-07

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  刘斯扬 ,  魏守明 ,  钱钦松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种高维持电压N型静电防护半导体器件，包括：半导体衬底，在半导体衬底上面设置有埋置氧化层，埋置氧化层上面是N型的掺杂半导体漂移区，P阱区设置在N型的掺杂半导体漂移区上方，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，N型源区和P型接触区设置在P阱中，其特征是：在于在P阱内还设有P型掺杂半导体区，且P型掺杂半导体区位于N型源区和栅氧化层的下方。该器件可以有效地提高静电防护过程中的维持电压，因此该器件具有更好的抗闩锁能力。

公开(公告)号：CN101969062A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN201010265794.6

申请日：2010-08-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  魏守明 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/76

Abstract: 一种提高电流密度的绝缘体上硅N型半导体组合器件，包括：P型衬底，在P型衬底上设埋氧层，在埋氧层上设P型外延层且P型外延层被分割成区域I和II，其中I区为绝缘栅双极型器件区，包括：N型漂移区、P型深阱、N型缓冲阱、P型漏区、N型源区和P型体接触区，在硅表面相应设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅；其中II区为高压三极管区，包括：N型三极管漂移区、N型三极管缓冲阱、P型发射区和N型基区，其特征在于II区中的N型基区包在N型缓冲区内部，且I区中P型漏区上的第一漏极金属与II区中N型基区上的第一基极金属通过第二金属连通。本发明在不增加器件面积基础上显著提升器件的电流密度且器件其他性能参数并不改变。

公开(公告)号：CN102130184B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201010600772.0

申请日：2010-12-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  刘斯扬 ,  魏守明 ,  孙伟锋 ,  时龙兴 ,  张丽 ,  朱奎英

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/265

Abstract: 一种应用于高压静电保护的高鲁棒性反偏二极管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有P型外延层，在P型外延层的上部设有第一低压P型阱、第一低压N型阱和第二高压N型阱，在第一低压P型阱内设有P型阳区，在第二高压N型阱内设有N型阴区，在N型阴区上连接有阴极金属，在P型阳区上连接有阳极金属，其特征在于，在所述的第二高压N型阱内部的上表面还设有连接于阴极金属的P型阴区，且P型阴区紧贴着N型阴区的右边界，在所述的第一低压P型阱内设有第二P型缓冲阱，所述的P型阳区位于第二P型缓冲阱内。该器件可以有效地降低静电保护过程中的触发电压，并极大地提升器件的二次击穿电流，因而具有更好的鲁棒性。

公开(公告)号：CN102130184A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010600772.0

申请日：2010-12-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  刘斯扬 ,  魏守明 ,  孙伟锋 ,  时龙兴 ,  张丽 ,  朱奎英

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/265

Abstract: 一种应用于高压静电保护的高鲁棒性反偏二极管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有P型外延层，在P型外延层的上部设有第一低压P型阱、第一低压N型阱和第二高压N型阱，在第一低压P型阱内设有P型阳区，在第二高压N型阱内设有N型阴区，在N型阴区上连接有阴极金属，在P型阳区上连接有阳极金属，其特征在于，在所述的第二高压N型阱内部的上表面还设有连接于阴极金属的P型阴区，且P型阴区紧贴着N型阴区的右边界，在所述的第一低压P型阱内设有第二P型缓冲阱，所述的P型阳区位于第二P型缓冲阱内。该器件可以有效地降低静电保护过程中的触发电压，并极大地提升器件的二次击穿电流，因而具有更好的鲁棒性。

公开(公告)号：CN201904344U

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201020674918.1

申请日：2010-12-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  刘斯扬 ,  魏守明 ,  孙伟锋 ,  时龙兴 ,  张丽 ,  朱奎英

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/329 ,  H01L21/265

Abstract: 一种应用于高压静电保护的高鲁棒性反偏二极管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有P型外延层，在P型外延层的上部设有第一低压P型阱、第一低压N型阱和第二高压N型阱，在第一低压P型阱内设有P型阳区，在第二高压N型阱内设有N型阴区，在N型阴区上连接有阴极金属，在P型阳区上连接有阳极金属，其特征在于，在所述的第二高压N型阱内部的上表面还设有连接于阴极金属的P型阴区，且P型阴区紧贴着N型阴区的右边界，在所述的第一低压P型阱内设有第二P型缓冲阱，所述的P型阳区位于第二P型缓冲阱内。该器件可以有效地降低静电保护过程中的触发电压，并极大地提升器件的二次击穿电流，因而具有更好的鲁棒性。

公开(公告)号：CN201853707U

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201020508079.6

申请日：2010-08-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  魏守明 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/76

Abstract: 一种提高电流密度的绝缘体上硅N型半导体组合器件，包括：P型衬底，在P型衬底上设埋氧层，在埋氧层上设P型外延层且P型外延层被分割成区域I和II，其中I区为绝缘栅双极型器件区，包括：N型漂移区、P型深阱、N型缓冲阱、P型漏区、N型源区和P型体接触区，在硅表面相应设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅；其中II区为高压三极管区，包括：N型三极管漂移区、N型三极管缓冲阱、P型发射区和N型基区，其特征在于II区中的N型基区包在N型缓冲区内部，且I区中P型漏区上的第一漏极金属与II区中N型基区上的第一基极金属通过第二金属连通。本实用新型在不增加器件面积基础上显著提升器件的电流密度且器件其他性能参数并不改变。