公开(公告)号：CN107805779B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201710933312.1

申请日：2017-10-10

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐庆宇 ,  张昊 ,  马眉扬 ,  王宏 ,  董帅

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明阐述了一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法。具体步骤为：先通过DMF、DMSO、环己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加热方法制备出足量的CsPbBr3单晶并压成靶材，再采用脉冲激光沉积薄膜制备技术：调整激光能量和基底温度，通过激光脉冲数控制薄膜厚度，真空沉积制备CsPbBr3薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术制备CsPbBr3薄膜，可实现均匀大面积薄膜的便捷制备，易于有效控制薄膜厚度并且节约材料，有利于该材料在太阳能电池的工业化生产与应用。

公开(公告)号：CN107805779A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201710933312.1

申请日：2017-10-10

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐庆宇 ,  张昊 ,  马眉扬 ,  王宏 ,  董帅

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58

CPC classification number: C23C14/0694 ,  C23C14/3435 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/5806

Abstract: 本发明阐述了一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法。具体步骤为：先通过DMF、DMSO、环己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加热方法制备出足量的CsPbBr3单晶并压成靶材，再采用脉冲激光沉积薄膜制备技术：调整激光能量和基底温度，通过激光脉冲数控制薄膜厚度，真空沉积制备CsPbBr3薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术制备CsPbBr3薄膜，可实现均匀大面积薄膜的便捷制备，易于有效控制薄膜厚度并且节约材料，有利于该材料在太阳能电池的工业化生产与应用。