公开(公告)号：CN106841316A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710045237.5

申请日：2017-01-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙剑飞 ,  范凤国 ,  张韬敏 ,  王鹏 ,  马思雨 ,  顾宁

IPC: G01N27/02 ,  G01N1/28

CPC classification number: G01N27/02 ,  G01N1/28

Abstract: 本发明公开了一种基于低频阻抗分析仪的测量薄膜磁极化率的方法，通过低频阻抗分析仪在变频下测量无磁性薄膜的阻抗，推导出电极化率；然后通过低频阻抗分析仪在变频下测量磁性薄膜的阻抗，利用上述步骤得到的电极化率推导出相应复数磁极化率。本发明基于低频阻抗分析仪和经典电磁学磁极化率公式，通过测量无磁性的α‑Fe2O3薄膜确定测量常数项，根据推导公式求解复数磁极化率。本发明方法同时可以应用到其它磁性薄膜材料，该方法简单易行，具有一定的工程应用前景。