公开(公告)号：CN115149938A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210767982.1

申请日：2022-06-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 胡三明 ,  颜凡桓 ,  沈一竹

IPC: H03K19/0175

Abstract: 本发明提出一种基于耦合线的高隔离度片上开关拓扑结构，该结构包括主耦合线，第一副耦合线和第二副耦合线，辅助耦合线，匹配电容，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，第一偏置电压，第二偏置电压，射频输入端口，第一射频输出端口，第二射频输出端口。当第一偏置电压为低电平，第二偏置电压为高电平时，射频输入端口和第一射频输出端口之间导通，射频输入端口和第二射频输出端口之间关断。辅助耦合线在降低插入损耗的同时可以显著增强第一射频输出端口和第二射频输出端口之间的隔离度。本发明在缩小芯片面积的同时，解决了片上射频开关隔离度低的关键难题。

公开(公告)号：CN116054814A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202310140252.3

申请日：2023-02-21

Applicant: 东南大学

Inventor： 胡三明 ,  张秋涵 ,  沈一竹 ,  颜凡桓

IPC: H03K19/0185 ,  H03K19/00 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明提出一种高隔离度片上收发开关，包括初级耦合线、第一次级耦合线和第二次级耦合线，匹配电容，第一晶体管和第二晶体管，第一栅极偏置电阻和第二栅极偏置电阻，第一衬底偏置电阻和第二衬底偏置电阻，第一控制电压和第二控制电压，第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，第一电容、第二电容、第三电容和第四电容。当第一控制电压为正电源电压，第二控制电压为负电源电压时，端口一和端口二之间导通，端口一和端口三之间关断，反之同理。本发明设计了一种耦合抵消的结构，采用电容电阻构建一条信号抵消路径，抵消次级间耦合信号。本发明在保持耦合线收发开关面积小的同时，大幅度提升端口二和端口三之间的隔离度，解决了耦合线收发开关隔离度低的关键难题。