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公开(公告)号:CN104061967B
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201410326494.2
申请日:2014-07-09
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于衬底转移工艺的热式风速风向传感器及其封装方法,在保证了与传统CMOS工艺完全兼容的同吋,利用导热粘合剂胶体将陶瓷基板和传感芯片进行键合,通过腐蚀或研磨的方法去掉硅衬底后,能够完全消除传感器加热元件产生的热量在硅基芯片中的热传导;同时传感结构处于陶瓷基板和二氧化硅层之间,由于二氧化硅层具有极低的热传导系数,陶瓷基板具有较大的热传导系数,因此加热元件产生的绝大部分热量均通过导热胶和陶瓷基板向上进行热传导并通过强迫热对流效应与外界环境进行热交换,绝大部分的热量均用于感知外界环境中风速风向的变化,因此由于热传导效应造成的热损失会很小,使传感器能够在低功耗条件下获得较大的敏感信号。
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公开(公告)号:CN104061967A
公开(公告)日:2014-09-24
申请号:CN201410326494.2
申请日:2014-07-09
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于衬底转移工艺的热式风速风向传感器及其封装方法,在保证了与传统CMOS工艺完全兼容的同吋,利用导热粘合剂胶体将陶瓷基板和传感芯片进行键合,通过腐蚀或研磨的方法去掉硅衬底后,能够完全消除传感器加热元件产生的热量在硅基芯片中的热传导;同时传感结构处于陶瓷基板和二氧化硅层之间,由于二氧化硅层具有极低的热传导系数,陶瓷基板具有较大的热传导系数,因此加热元件产生的绝大部分热量均通过导热胶和陶瓷基板向上进行热传导并通过强迫热对流效应与外界环境进行热交换,绝大部分的热量均用于感知外界环境中风速风向的变化,因此由于热传导效应造成的热损失会很小,使传感器能够在低功耗条件下获得较大的敏感信号。
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公开(公告)号:CN104730283B
公开(公告)日:2017-06-23
申请号:CN201510107696.2
申请日:2015-03-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS技术的三维风速风向传感器及其制备方法,结合传统CMOS工艺与MEMS后处理工艺,对于水平方向风速分量采用芯片上中心对称放置加热单元以及四周分布的测温单元进行测量,对于竖直方向的风速分量采用中心薄膜受风压形变造成的支撑梁根部压阻阻值变化进行测量。本发明提出的三维风速风向传感器结构具有尺寸小,灵敏度高、功耗低等优点,可以有效检测三维风速风向。
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公开(公告)号:CN104090121B
公开(公告)日:2016-06-29
申请号:CN201410325164.1
申请日:2014-07-09
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种三维集成正面感风的热式风速风向传感器装置及封装方法,该装置,包括采用正面感风方式的热式风速风向传感器、CMOS电路芯片和印制电路基板,热式风速风向传感器包括低导热率衬底(热导率低于1W/m·K),在衬底的正面设置有加热元件、测温元件和焊盘,在衬底的正面淀积钝化保护层,实现正面感风,通过钝化保护层密封住加热元件、测温元件和焊盘;CMOS电路芯片设置在衬底的背面和印制电路基板之间,在衬底和CMOS电路芯片对应焊盘的位置设置有通孔,在通孔内填充有金属物质,金属物质的两端分别与焊盘和印制电路基板上的焊点焊接。本发明封装结构及方法可以获得高可靠性、高集成度。
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公开(公告)号:CN104730283A
公开(公告)日:2015-06-24
申请号:CN201510107696.2
申请日:2015-03-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS技术的三维风速风向传感器及其制备方法,结合传统CMOS工艺与MEMS后处理工艺,对于水平方向风速分量采用芯片上中心对称放置加热单元以及四周分布的测温单元进行测量,对于竖直方向的风速分量采用中心薄膜受风压形变造成的支撑梁根部压阻阻值变化进行测量。本发明提出的三维风速风向传感器结构具有尺寸小,灵敏度高、功耗低等优点,可以有效检测三维风速风向。
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公开(公告)号:CN104090121A
公开(公告)日:2014-10-08
申请号:CN201410325164.1
申请日:2014-07-09
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种三维集成正面感风的热式风速风向传感器装置及封装方法,该装置,包括采用正面感风方式的热式风速风向传感器、CMOS电路芯片和印制电路基板,热式风速风向传感器包括低导热率衬底(热导率低于1W/m·K),在衬底的正面设置有加热元件、测温元件和焊盘,在衬底的正面淀积钝化保护层,实现正面感风,通过钝化保护层密封住加热元件、测温元件和焊盘;CMOS电路芯片设置在衬底的背面和印制电路基板之间,在衬底和CMOS电路芯片对应焊盘的位置设置有通孔,在通孔内填充有金属物质,金属物质的两端分别与焊盘和印制电路基板上的焊点焊接。本发明封装结构及方法可以获得高可靠性、高集成度。
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